一种测试模式控制器及其具有自我测试的电子装置，所述测试模式控制器，包括致能信号产生器、控制信号产生器以及锁存器；致能信号产生器接收电源信号与第二控制信号，并产生第一致能信号与第二致能信号分别给锁存器与控制信号产生器；控制信号产生器接收电源指示电压与参考电压，并于第一致能信号致能时，产生第一控制信号传送给锁存器；锁存器于第二致能信号致能时，接收第一控制信号，并且依据第一控制信号产生第二控制信号；第二控制信号用以控制芯片操作于测试模式或一般模式。据此，测试模式控制器在不需要使用一个测试接脚，即可缩短测试时间，且可节省芯片面积与封装成本。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种具有自我测试的电子装置，且特别是有关于自我测试的电子装置的测试模式控制器。
技术介绍
目前市面上的所广泛应用的电子电路都以集成电路的方式实施于单一芯片上。在生产芯片时，除了考虑功效外，还会考虑芯片的使用面积与依据接脚数目所需要的封装成本。据此，多数的制造商在生产芯片时，也会致力于减少芯片的使用面积和接脚数目。以下以传统单节锂电池保护电路为例，说明传统芯片需要额外的测试接脚，以缩短传统芯片的测试时间。请参照图1，图1是传统单节锂电池保护电路的电路图。传统单节锂电池保护电路1包括单节锂电池10、单节锂电池保护芯片11、功率晶体管电路12、电阻 RU R2及电容Cl。另外，单节锂电池保护芯片11具有功率晶体管控制接脚0C、0D、电源信号接脚VCC、接地接脚GND、测试接脚TD与电源指示电压接脚CS，且功率晶体管电路12具有多个功率晶体管M1、M2与二极管D1、D2。传统单节锂电池保护电路1的各元件的连接方式如图1所示，故不在此多赘述。单节锂电池保护芯片11通过功率晶体管控制接脚OC与OD所输出的控制信号控制功率晶体管电路12的功率晶体管Ml与M2的操作，以由此达到过充电、过放电及过电流保护。需要注意的是，单节锂电池保护芯片11的测试接脚TD仅使用于测试模式。当单节锂电池保护芯片11需要操作于测试模式时，测试接脚TD会被施以外加电压，以缩短测试时间。然而，当单节锂电池保护芯片11操作于一般模式时，测试接脚TD会被空接。综上所述，传统单节锂电池保护芯片11会因为额外的测试接脚TD，而可能有浪费芯片面积与增加封装成本的问题。同样地，传统芯片亦可能需要额外的测试接脚，而可能有同样的问题。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足，提供一种测试模式控制器及其具有自我测试的电子装置。本专利技术通过如下技术方案解决上述技术问题本专利技术提供一种测试模式控制器。测试模式控制器包括致能信号产生器、控制信号产生器以及锁存器。致能信号产生器接收来自于锁存器的第二控制信号，而其所产生的第一致能信号与第二致能信号分别传送至锁存器与控制信号产生器。控制信号产生器产生第一控制信号，并将第一控制信号传送至锁存器。锁存器接收来自于控制信号产生器的第一控制信号，并传送第二控制信号至致能信号产生器。另外，致能信号产生器接收电源信号与第二控制信号，并产生第一致能信号与第二致能信号。控制信号产生器接收电源指示电压与参考电压，于第一致能信号致能时，依据该电源指示电压与参考电压产生第一控制信号。锁存器受控于第二致能信号，并于第二致能信号致能时，依据第一控制信号输出第二控制信号，其中第二控制信号用以控制芯片操作于测试模式或一般模式。换句话说，一种测试模式控制器，该测试模式控制器包括致能信号产生器，接收电源信号与第二控制信号，并产生第一致能信号与第二致能信号；控制信号产生器，接收电源指示电压与参考电压，于该第一致能信号致能时，依据该电源指示电压与该参考电压产生第一控制信号；以及锁存器，受控于该第二致能信号，并于该第二致能信号致能时，依据该第一控制信号输出该第二控制信号，其中该第二控制信号用以控制芯片操作于测试模式或一般模式。本专利技术实施例还提供一种具有自我测试的电子装置，其包括芯片与上述的测试模式控制器。换句话说，一种具有自我测试的电子装置，包括芯片，接收第二控制信号，以决定操作于测试模式或一般模式中；以及测试模式控制器，包括致能信号产生器，接收电源信号与第二致能信号，并产生第一致能信号与该第二致能信号；控制信号产生器，接收电源指示电压与参考电压，于该第一致能信号致能时，依据该电源指示电压与该参考电压产生第一控制信号；以及锁存器，受控于该第二致能信号，并于该第二致能信号致能时，依据该第一控制信号输出第二控制信号。综上所述，本专利技术实施例所提供的测试模式控制器及具有自我测试的电子装置不需要保留传统芯片所使用的一个测试接脚，而仍具有传统芯片的测试接脚所能达到的缩短测试时间的效果。据此，相较于传统芯片，本专利技术实施例的具有自我测试的电子装置的芯片面积较小，且其封装成本也较低。为使能更进一步了解本专利技术的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，但是此等说明与附图仅用来说明本专利技术，而非对本专利技术的权利范围作任何的限制。附图说明图1为传统单节锂电池保护电路的电路图；图2为本专利技术实施例提供的一种测试模式控制器的电路图；图3为图2的测试模式控制器所产生的多个信号的波形图；图4为本专利技术实施例提供的一种测试模式控制器的电路图；图5为图4的测试模式控制器所产生的多个信号的波形图；图6为图2的测试模式控制器所产生的多个信号的另一种波形图；图7为本专利技术实施例提供的一种测试模式控制器的电路图；图8为图7的测试模式控制器所产生的多个信号的波形图；图9为本专利技术实施例提供的一种具有自我测试的电子装置的电路图。主要元件附图标记说明1 传统单节锂电池保护电路10:单节锂电池11 单节锂电池保护芯片12:功率晶体管电路Cl 电容R1、R2:电阻M1、M2:功率晶体管D1、D2:二极管0C、OD 功率晶体管控制接脚VCC:电源信号接脚GND 接地接脚CS:电源指示电压接脚TD 测试接脚2、4、7 测试模式控制器21,41 控制信号产生器22、42、72 致能信号产生器23、43 锁存器411:比较器421 起始信号产生器422:缓冲器423:反向器424:逻辑与门425:时间控制电路426 逻辑或门427 延迟单元9 具有自我测试的电子装置90 测试模式控制器91 芯片具体实施例方式测试模式控制器的实施例请参照图2，图2是本专利技术实施例提供的一种测试模式控制器的电路图。测试模式控制器2包括致能信号产生器22、控制信号产生器21以及锁存器23。控制信号产生器21 电性耦接于致能信号产生器22与锁存器23，且锁存器23电性耦接于致能信号产生器22。致能信号产生器22接收来自于锁存器23的第二控制信号Ds_c与电源信号VDD， 并产生的第一致能信号En_cmp与第二致能信号En_Latch，其中第一致能信号En_cmp与第二致能信号En_latCh分别被传送至锁存器23与控制信号产生器21。第一致能信号En_cmp 致能与禁能的时间将于图3或图6说明，同样地，第二致能信号En_latCh致能与禁能的时间也将于图3或图6说明。控制信号产生器21接收电源指示电压CSI与参考电压Vref，并于第一致能信号En_cmp致能(例如为高电压电平3. 9V)时，依据电源指示电压CSI与参考电压Vref产生第一控制信号Latchjn。控制信号产生器21于第一致能信号En_cmp禁能(例如为低电压电平0V)时，输出第一电平(例如为低电压电平0V)的第一控制信号。更详细地说，当第一致能信号En_cmp致能，参考电压Vref为任一正电压，且电源指示电压CSI被外接至一个负电压电平(例如为-1.5V)时，控制信号产生器21会产生第二电平的第一控制信号En_cmp。 控制信号产生器21所产生的第一控制信号LatchJn会被传送至锁存器23。锁存器23接收来自于控制信号产生器21的第一控制信号LatchJn并传送第二控制信号Ds_c至致能信号产生器22。锁存器23受控于第二致能信号En_la本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈国强，陈宴毅，
申请(专利权)人：富晶电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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