存储装置的写入方法、存储装置、存储控制器和存储系统制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种存储装置的写入方法、存储装置、存储控制器和存储系统，涉及数据存储领域。为解决现有技术影响存储装置的使用寿命的问题而发明专利技术。本发明专利技术实施例公开的技术方案包括：第一操作(S10)：通过预设第一编程电压编程存储装置的基本读写单元内的所选择的存储单元；第二操作(S20)：根据预设第一校验电压读出所述基本读写单元内的每个存储单元，得到第一读出结果；第三操作(S30)：基于所述第一读出结果确定所述基本读写单元内的具有正确的目标状态的存储单元的第一数量；第四操作(S40)：如果具有正确的目标状态的存储单元的第一数量大于预设第一阈值，结束写操作。

【技术实现步骤摘要】
存储装置的写入方法、存储装置、存储控制器和存储系统
本专利技术涉及数据存储领域，更具体地，本专利技术涉及一种存储装置的写入方法、存储装置、存储控制器和存储系统。
技术介绍
在使用电子设备的过程中，电子设备会不断对存储装置进行擦除和写入。对于具备有限擦写次数的存储装置，在数据写入过程中，首先通过编程电压施加到存储装置的基本读写单元的全部存储单元；然后验证全部存储单元是否都被正确写入并达到目标状态；当全部存储单元都被正确写入并达到目标状态时，才完成本次写入；否则，需要通过增量电压修改写入电压后再次写全部存储单元，直至全部存储单元都被正确写入并达到目标状态。然而，由于要求全部存储单元被写入并达到目标状态，因此写操作需要的“写入”和“验证”次数较多，进而导致写操作的时间较长、延时较大，且对存储装置的损害较大，影响存储装置的使用寿命。
技术实现思路
本专利技术的目的在于缩短写操作的时间，减少延时，从而减少写操作对存储装置的损害，进而延长存储装置的使用寿命。根据本专利技术的第一方面，提供一种存储装置的写入方法，包括：第一操作(S10)：通过预设第一编程电压编程存储装置的基本读写单元内的所选择的存储单元；第二操作(S20)：根据预设第一校验电压读出所述基本读写单元内的每个存储单元，得到第一读出结果；第三操作(S30)：基于所述第一读出结果确定所述基本读写单元内的具有正确的目标状态的存储单元的第一数量；第四操作(S40)：如果具有正确的目标状态的存储单元的第一数量大于预设第一阈值，结束写操作。根据本专利技术第一方面的一个实施方式，进一步的，如果所述基本读写单元内的具有正确的目标状态的存储单元的第一数量不大于预设第一阈值，还包括：第五操作(S50)：根据预设第一增量电压获取第一增量写入电压，并通过所述第一增量写入电压编程存储装置的基本读写单元内的所选择的存储单元；重新执行所述第二操作(S20)，直至写操作结束。根据本专利技术第一方面的一个实施方式，进一步的，在所述第一操作(S10)之前，还包括：判断操作(S00)：判断使用第一存储写入模式还是第二存储写入模式；如果为使用第一存储写入模式，执行所述第一操作(S10)。根据本专利技术第一方面的一个实施方式，进一步的，如果所述判断结果为使用第二存储写入模式，还包括：第六操作(S60)：通过预设第二编程电压编程存储装置的基本读写单元内的所选择的存储单元；第七操作(S70)：通过预设第一校验电压读出所述基本读写单元内的每个存储单元，得到第二读出结果；第八操作(S80)：基于所述第二读出结果确定所述基本读写单元内具有正确的目标状态的存储单元的第二数量；第九操作(S90)：如果具有正确目标状态的存储单元的第二数量大于预设第二阈值，结束写操作；第十操作(S100)：如果具有正确目标状态的存储单元的数量不大于预设第二阈值，根据预设第二增量电压获取第二增量写入电压，并通过所述第二增量写入电压编程存储装置的基本读写单元内的所选择的存储单元；重新执行所述第七操作(S70)，直至写操作结束；其中所述第二编程电压大于所述第一编程电压，和/或所述第二阈值大于所述第一阈值，和/或所述第一增量电压大于所述第二增量电压。根据本专利技术第一方面的一个实施方式，进一步的，所述第七操作(S70)替换为通过预设第二校验电压读出所述基本读写单元内的每个存储单元；所述第二校验电压大于所述第一校验电压。根据本专利技术第一方面的一个实施方式，进一步的，所述判断操作(S00)包括：根据指示不同写入模式的写入命令，判断使用第一存储写入模式还是第二存储写入模式；或者，根据用户输入的写入模式的选取指示，判断使用第一存储写入模式还是第二存储写入模式；或者，根据所述存储装置的状态信息，判断使用第一存储写入模式还是第二存储写入模式；或者，根据预设存储控制器发送的指示，判断使用第一存储写入模式还是第二存储写入模式。根据本专利技术第一方面的一个实施方式，进一步的，还包括：修改操作(S21)：根据用户输入的设定指示修改预设第一阈值、第一编程电压、第一增量电压和/或第一校验电压；或者根据存储装置的状态信息修改预设第一阈值、第一编程电压、第一增量电压和/或第一校验电压。根据本专利技术第一方面的一个实施方式，进一步的，还包括：修改操作(S22)：根据用户输入的设定指示修改预设第二阈值、第二编程电压、第二增量电压和/或第二校验电压；或者根据存储装置的状态信息修改预设第二阈值、第二编程电压、第二增量电压和/或第二校验电压。根据本专利技术的第二方面，提供另一种存储装置的写入方法，包括：第一操作(S01)：获取存储装置所处的生命周期的阶段；第二操作(S02)：当所述存储装置所处的生命周期的阶段对应第一存储写入模式时，指示所述存储装置根据第一编程电压、第一增量电压、第一校验电压和第一阈值进行编程操作；当所述存储装置所处的生命周期的阶段对应第二存储写入模式时，指示所述存储装置根据第二编程电压、第二增量电压、第二校验电压以及第二阈值进行编程操作。根据本专利技术的第二方面，进一步的，所述第一编程电压小于所述第二编程电压，和/或所述第一阈值小于所述第二阈值。根据本专利技术的第二方面，进一步的，所述第一增量电压大于所述第二增量电压。根据本专利技术的第二方面的一个实施方式，进一步的，所述根据预设第一编程电压、第一增量电压、第一校验电压和第一阈值进行编程操作包括：通过预设第一编程电压编程存储装置的基本读写单元内的所选择的存储单元；根据预设第一校验电压读出所述基本读写单元内的每个存储单元，得到第一读出结果；基于所述第一读出结果确定所述基本读写单元内的具有正确的目标状态的存储单元的第一数量；如果具有正确的目标状态的存储单元的第一数量大于预设第一阈值，结束写操作；所述根据预设第二编程电压、第二增量电压、第二校验电压以及第二阈值进行编程操作包括：通过预设第二编程电压编程存储装置的基本读写单元内的所选择的存储单元；通过预设第二校验电压读出所述基本读写单元内的每个存储单元，得到第二读出结果；基于所述第二读出结果确定所述基本读写单元内具有正确的目标状态的存储单元的第二数量；如果具有正确目标状态的存储单元的第二数量大于预设第二阈值，结束写操作。根据本专利技术的第二方面的一个实施方式，进一步的，所述根据预设第一编程电压、第一增量电压、第一校验电压和第一阈值进行编程操作包括：通过预设第一编程电压编程存储装置的基本读写单元内的所选择的存储单元；根据预设第一校验电压读出所述基本读写单元内的每个存储单元，得到第一读出结果；基于所述第一读出结果确定所述基本读写单元内的具有正确的目标状态的存储单元的第一数量；如果具有正确的目标状态的存储单元的第一数量不大于预设第一阈值，根据预设第一增量电压获取第一增量写入电压，并通过所述第一增量写入电压编程存储装置的基本读写单元内的所选择的存储单元；重新执行根据预设第一校验电压读出存储单元操作，直至写操作结束；所述根据预设第二编程电压、第二增量电压、第二校验电压以及第二阈值进行编程操作包括：通过预设第二编程电压编程存储装置的基本读写单元内的所选择的存储单元；通过预设第二校验电压读出所述基本读写单元内的每个存储单元，得到第二读出结果；基于所述第二读出结果确定所述基本读写单元内具有正确的目标状态的存储单元的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储装置的写入方法，其特征在于，包括：第一操作(S10)：通过预设第一编程电压编程存储装置的基本读写单元内的所选择的存储单元；第二操作(S20)：根据预设第一校验电压读出所述基本读写单元内的每个存储单元，得到第一读出结果；第三操作(S30)：基于所述第一读出结果确定所述基本读写单元内的具有正确的目标状态的存储单元的第一数量；第四操作(S40)：如果具有正确的目标状态的存储单元的第一数量大于预设第一阈值，结束写操作。

【技术特征摘要】
2015.12.22 CN 20151097400821.一种存储装置的写入方法，其特征在于，包括：第一操作(S10)：通过预设第一编程电压编程存储装置的基本读写单元内的所选择的存储单元；第二操作(S20)：根据预设第一校验电压读出所述基本读写单元内的每个存储单元，得到第一读出结果；第三操作(S30)：基于所述第一读出结果确定所述基本读写单元内的具有正确的目标状态的存储单元的第一数量；第四操作(S40)：如果具有正确的目标状态的存储单元的第一数量大于预设第一阈值，结束写操作。2.根据权利要求1所述的存储装置的写入方法，其特征在于，如果所述基本读写单元内的具有正确的目标状态的存储单元的第一数量不大于预设第一阈值，所述方法还包括：第五操作(S50)：根据预设第一增量电压获取第一增量写入电压，并通过所述第一增量写入电压编程存储装置的基本读写单元内的所选择的存储单元；重新执行所述第二操作(S20)，直至写操作结束。3.根据权利要求1或2所述的存储装置的写入方法，其特征在于，在所述第一操作(S10)之前，还包括：判断操作(S00)：判断使用第一存储写入模式还是第二存储写入模式；如果为使用第一存储写入模式，执行所述第一操作(S10)。4.根据权利要求3所述的存储装置的写入方法，其特征在于，如果所述判断结果为使用第二存储写入模式，还包括：第六操作(S60)：通过预设第二编程电压编程存储装置的基本读写单元内的所选择的存储单元；第七操作(S70)：通过预设第一校验电压读出所述基本读写单元内的每个存储单元，得到第二读出结果；第八操作(S80)：基于所述第二读出结果确定所述基本读写单元内具有正确的目标状态的存储单元的第二数量；第九操作(S90)：如果具有正确目标状态的存储单元的第二数量大于预设第二阈值，结束写操作；第十操作(S100)：如果具有正确目标状态的存储单元的数量不大于预设第二阈值，根据预设第二增量电压获取第二增量写入电压，并通过所述第二增量写入电压编程存储装置的基本读写单元内的所选择的存储单元；重新执行所述第七操作(S70)，直至写操作结束；其中所述第二编程电压大于所述第一编程电压，和/或所述第二阈值大于所述第一阈值，和/或所述第一增量电压大于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛立成，王祎磊，
申请(专利权)人：北京忆芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11