本发明专利技术涉及一种多芯片模块，其包括一接脚框架、一电力开关芯片及一电池保护芯片；接脚框架具有一芯片置放区与六根接脚，其中，第二接脚与第五接脚电连接于芯片置放区，其余接脚各自电性隔离设置；电力开关芯片的底面电性连接于芯片置放区上，以及，电力开关芯片的顶面电性连接第一接脚与第三接脚；电池保护芯片的底面设置在电力开关芯片的顶面上，且与该电力开关芯片的顶面电性隔离；电池保护芯片的顶面电性连接电力开关芯片的顶面、第一接脚、第四接脚以及第六接脚。前述的多芯片模块利用小外型晶体管SOT?26封装而成来达到降低成本的需求，并使得此二合一的多芯片模块能够轻薄短小，在市场上更具优势。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种多芯片模块，尤指一种可应用在S0D6封装以及内建有功率金氧半晶体管(POWER M0SFET)的多芯片模块，该多芯片模块作为单节锂电池的保护电路。
技术介绍
参考图1。图1为传统单节锂电池装置示意图。单节锂电池装置1有各种保护机构存在。若一个单节锂电池装置1充电过度，其中便可能会有强烈的放热反应，以及造成火灾的潜在性将会增加。目前市面上的单节锂电池装置1主要是由单节锂电池芯10加上单节锂电池保护板12所组成。前述单节锂电池装置1中，单节锂电池保护板12上的电路用来防止单节锂电池芯10充电过度。单节锂电池保护板12主要是由几颗电阻R1、R2、电容C以及一颗单节锂电池保护 IC 120搭配一颗功率金氧半晶体管IC 122焊接在一电路板(未标示)所组成，其中功率金氧半晶体管IC 122包含有两个功率金氧半晶体管(POWER M0SFET)M1、M2。在单节锂电池装置1中，借助单节锂电池保护IC 120的致能，功率金氧半晶体管IC 122中的一个功率金氧半晶体管Ml可防止电流自单节锂电池芯10流出，另一个功率金氧半晶体管M2则可防止电流流进单节锂电池芯10内。单节锂电池装置1中的单节锂电池保护IC 120通常采用小外型晶体管(S0T26)封装而成，功率金氧半晶体管IC 122通常采用TSS0P8封装而成。另外，市面上也有内建功率金氧半晶体管的单节锂电池保护IC，而这种二合一的单节锂电池保护IC采用TSS0P8与MS0P8而成。然而，采用TSS0P8封装的单节锂电池保护 IC,其体积相当庞大(长X宽X高约为435mmX3. 15mmX0. 92mm)，如此庞大的封装体积不能符合轻薄短小的产品设计目标。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种利用小外型晶体管(Small Outline Transistor 26 ；SOT 26)封装而成的多芯片模块，多芯片模块为一种内建有功率金氧半晶体管的单节锂电池保护集成电路(IC)。依据一实施例，本专利技术的多芯片模块包括一接脚框架、一电力开关芯片及一电池保护芯片。接脚框架具有一芯片置放区、一第一接脚、一第二接脚、一第三接脚、一第四接脚、 一第五接脚及一第六接脚，其中，第二接脚与第五接脚电连接于芯片置放区，其余接脚各自电性隔离设置。电力开关芯片具有一第一顶面与一第一底面，其中，该第一底面电性连接地设置于芯片置放区上，以及，电力开关芯片的一第一顶面电性连接第一接脚与第三接脚。电池保护芯片具有一第二顶面与一第二底面，该第二底面电性隔离地设置在电力开关芯片的第一顶面的局部区域，以及，电池保护芯片的一第二顶面电性连接电力开关芯片的第一顶面、第一接脚、第四接脚以及第六接脚。依据另一实施例，本专利技术的多芯片模块中，包括一接脚框架，一电力开关芯片及一电池保护芯片。接脚框架具有一芯片置放区、一第一接脚、一第二接脚、一第三接脚、一第四接脚、 一第五接脚及一第六接脚，其中，该第二接脚与该第五接脚电连接于该芯片置放区，其余接脚各自电性隔离设置；一电力开关芯片，具有一第一顶面与一第一底面，其中，该第一底面电性连接地设置于该芯片置放区上，该第一顶面电性连接该第一接脚与该第三接脚；及一电池保护芯片，具有一第二顶面与一第二底面，电池保护芯片的设置位置可以从前述实施例的电力开关芯片的第一顶面的局部区域上，改为电性隔离地设置在芯片置放区上，该第二顶面电性连接该第一顶面、该第一接脚、该第四接脚以及该第六接脚。综上所述，本专利技术的实施例的多芯片模块为一种内建功率金氧半晶体管的单节锂电池保护IC，其采用SOT 26封装而成(体积的长X宽X高约为2. 95mmXl. 56mmXl. 11mm)。 因此，本专利技术的实施例的多芯片模块借助小外型晶体管SOT沈封装来达到降低成本的需求，并使得此二合一的多芯片模块能够轻薄短小，在市场上更具优势。附图说明图1为传统单节锂电池装置示意图；图2A为本专利技术的一实施例的多芯片模块的脚位配置示意图；图2B为本专利技术的另一实施例的多芯片模块的脚位配置示意图；图3为本专利技术的一实施例的多芯片模块的应用电路示意图；图4A为本专利技术的一实施例的电池保护芯片的脚位配置示意图；图4B为本专利技术的另一实施例的电池保护芯片的脚位配置示意图；图5A为本专利技术的一实施例的电力开关芯片的脚位配置示意图；图5B为本专利技术的另一实施例的电力开关芯片的脚位配置示意图；图6A为本专利技术的一实施例的多芯片模块的封装架构示意图；图6B为本专利技术的一实施例的多芯片模块的封装架构示意图；图7A为本专利技术的一实施例的多芯片模块的封装架构示意图；图7B为本专利技术的一实施例的多芯片模块的封装架构示意图；图8A为本专利技术的一实施例的多芯片模块的封装架构示意图；图8B为本专利技术的一实施例的多芯片模块的封装架构示意图；图9A为本专利技术的一实施例的多芯片模块的封装架构示意图；图9B为本专利技术的一实施例的多芯片模块的封装架构示意图。主要元件附图标记说明公知单节锂电池装置1单节锂电池芯10单节锂电池保护板12电阻 R1、R2电容 C单节锂电池保护IC 120功率金氧半晶体管IC 122功率金氧半晶体管(POWER M0SFET)M1、M2本专利技术多芯片模块2、2，、3、3，第一接脚Pim第二接脚PIN2第三接脚PIN3第四接脚PIN4第五接脚PIN5第六接脚PIN6单节锂电池芯3电阻 R1、R2电容 C电池保护芯片20、30顶面 202、302底面 204、304过充电控制输出垫片OC过放充电控制输出垫片OD工作电压输入垫片VCC接地垫片GND电流检测垫片CS电力开关芯片22、32顶面 222、322/S 224>324第一源极区域221、321第一栅极区域225、325第二源极区域223、323第二栅极区域227、327接脚框架21、31芯片置放区211、31具体实施例方式参照图2A，图2A为本专利技术的一实施例的多芯片模块的脚位配置示意图。多芯片模块2采用小外型晶体管(Small Outline Transistor 26 ；SOT 26)封装而成，其具有6根接脚，本实施例中，该6根接脚的功能定义分别为第一接脚Pim为一共同接地接脚(GND)， 第二接脚PIN2与第五接脚PIN5为一共同漏极接脚(DU)，第三接脚PIN3为一负载接脚 (BATN)，第四接脚PIN4为一过电流侦测接脚(CS)，第六接脚PIN6为一电池电压侦测接脚 (VCC)。另外，参照图2B。图2B为本专利技术的另一实施例的多芯片模块的脚位配置示意图。 本专利技术另一实施例的多芯片模块2的脚位配置，其6根接脚的功能可以定义为第一接脚Pim为一负载接脚(BATN)，第二接脚PIN2与第五接脚PIN5为一共同漏极接脚(D12)，第三接脚PIN3为一共同接地接脚(GND)，第四接脚PIN4为一电池电压侦测接脚(VCC)，第六接脚PIN6为一过电流侦测接脚(CS)。配合图2A，参考图3。图3为本专利技术的一实施例的多芯片模块的应用电路示意图。 在应用上，多芯片模块2可以连同一单节锂电池芯3、几颗电阻R1、R2及电容C可以被焊接在一电路板(未标示)上，以组成一单节锂电池装置(未标示)。如图3所示，多芯片模块 2的第三接脚PIN3与第四接脚PIN4之间可以连接电阻R2，作为电流侦测的用途。另外，本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈国强，容绍泉，刘振兴，陈宴毅，
申请(专利权)人：富晶电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。