一种封装结构，包括：第一导线架、第二导线架、两接地引脚、两第一引脚、多个第一导线、多个第二导线与封装体；第一导线架用以置放集成电路；第二导线架用以耦接第一功率晶体管与第二功率晶体管的漏极；两接地引脚彼此相邻且耦接至第一导线架；两第一引脚...

一种封装结构包括第一导线架、第二导线架、电源引脚、接地引脚、第一引脚、多个第一导线、多个第二导线与封装体；第一导线架用以电性耦接第一功率晶体管以及第二功率晶体管的漏极；接地引脚电性耦接至第一导线架；第一引脚通过用以提升第一引脚所能负载的...

一种测试模式控制器及其具有自我测试的电子装置，所述测试模式控制器，包括致能信号产生器、控制信号产生器以及锁存器；致能信号产生器接收电源信号与第二控制信号，并产生第一致能信号与第二致能信号分别给锁存器与控制信号产生器；控制信号产生器接收电...

一种电路装置包括输入端、输出端、致能模块、第一功能模块及第二功能模块；其中，致能模块耦接于输入端，经由输入端接收输入电压，并于输入电压介于第一电压范围时输出致能信号；第一功能模块耦接于致能模块与输出端，根据致能信号执行测试模式，以及送出...

一种用于充电器的极性切换电路，包含有极性切换单元和输入控制单元；极性切换单元更包含有输入端、输出端、顺向导通电路及反向导通电路；顺向导通电路中有第一开关单元和第二开关单元，用以在充电负载正接时，将正输入接脚与正输出接脚相连，并将负输入接...

一种功率金氧半场效应晶体管(Power?MOSFET)的布局结构包括：一第一蜿蜒栅极结构，设置于一基底之中，且具有一第一边与一第二边；一第一接触结构，设置于该基底之中，且位于该第一蜿蜒栅极结构的第一边；及一第二接触结构，设置于该基底之中...

本发明涉及一种多芯片模块，其包括一接脚框架、一电力开关芯片及一电池保护芯片；接脚框架具有一芯片置放区与六根接脚，其中，第二接脚与第五接脚电连接于芯片置放区，其余接脚各自电性隔离设置；电力开关芯片的底面电性连接于芯片置放区上，以及，电力开...

一种半导体芯片包括一集成电路区、至少一芯片角落标记区及一密封环，其中，该芯片角落标记区邻近该集成电路区；密封环设置在集成电路区的外侧，围绕集成电路区，并且在芯片角落标记区形成一校正标记，本发明揭示一种设置在前述半导体芯片中的密封环制造方...

一种封环结构包括一基板、一源／汲极层、一第一介电层、一第一下层金属层、一闸极层及一第二下层金属层，其中，源／汲极层位于基板之中，第一介电层位于基板之上；第一下层金属层位于第一介电层之上，并且通过第一介电层中的第一接触层电连接于源／汲极层...

本发明公开一种二次电池的充放电控制电路的温度感测器，用以配合充放电控制电路中的微控制器使用；温度感测器是一种可利用半导体制程技术制造完成的无极性温度感测器，这种温度感测器具有第一信号接脚和第二信号接脚，其中包含有成对的第一热二极体（Ｔｈ...

本发明公开一种温度感测模组，包括：以感测环境的温度的第一温度感测器用和用以感测耳膜的温度的第二温度感测器，其中的第一温度感测器为热二极体（Ｔｈｅｒｍａｌ　Ｄｉｏｄｅ），第二温度感测器可为一种热电堆型（ｔｈｅｒｍｏｐｉｌｅ）的热感测器，或...