一种集成电路芯片结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种集成电路芯片结构，其包括集成电路及邻接于所述集成电路周边的密封环，所述密封环的至少一个侧边为双边结构，且至少一个双边结构中的内侧边上设有至少1个开口。本实用新型专利技术提供的集成电路芯片结构，既可以防止水气的穿透，又能减少来自密封环传递的噪声影响，可降低噪声耦合，防止电磁讯号干扰敏感电路运作等，且结构简单，加工方便，具有极强的实用性，可广泛推广应用。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种集成电路芯片结构，属于半导体集成电路

技术介绍
集成电路通常都是在硅片或其它半导体材料基板上制造，然后进行封装与测试。当封装时，必须先对集成电路进行切割(saw)。切割的机械力可能导致边缘处形成微小裂痕，尤其是接近边角处。所形成的裂痕可能会朝向集成电路的中心电路区域推进而造成其中的电路区域毁坏。为了保护集成电路中心的电路区域，一般会在集成电路芯片上介于电路区域以及其切割道之间，配置密封环(seal ring)。密封环可以防止任何裂痕(例如，因切割集成电路时的应力(stress)所导致的裂痕)侵入集成电路内部的电路区域。此外，密封环亦可避免湿气渗入，或是避免其它化学物质进入而损坏集成电路内部的电路区域。 传统的密封环是由掺杂的衬底，金属连接线和通孔及介质材料组成的环状结构。虽然此密封环可以防止芯片切割产生的裂痕及湿气渗入，但其可能会传导不同电路区域中的噪声至其它电路或者传导外部干扰电磁讯号至芯片内部的集成电路，进而影响到整体集成电路的运作。对射频芯片而言，由于其具有低噪声放大器(LNA)，更容易受来自密封环传播的噪声的影响。为了抑制噪声的传播，现已使用一些间歇本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路芯片结构，包括集成电路及邻接于所述集成电路周边的密封环，其特征在于：所述密封环的至少一个侧边为双边结构，且至少一个双边结构中的内侧边上设有至少1个开口。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：何佳，郑祺，
申请(专利权)人：上海工程技术大学，
类型：实用新型
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