一种二极管芯片的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种二极管芯片的制备方法，尤其属于快恢复二极管芯片的制备方法。包括N+层和P+层，采用如下步骤进行A）、在N+型衬底硅片正面生长至少一层用于电流漂移的N型层；B)、在N型层表面生长一层二氧化硅；C）、在二氧化硅上涂覆光刻胶；D）、在光刻胶上光刻出分压环窗口和主结窗口，腐蚀沟槽；E）、D）步骤后采用离子注入法，生成P+层和P-层，形成以P+层为主结，至少一个分压环P-层为副结的闭合环；F）对腐蚀后沟槽涂覆玻璃钝化层；G）、在N+层和P+层表面均溅射镀镍合金层。采用本发明专利技术的技术方案，具有正、反向恢复时间短，抗反向击穿电压高的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术公开了,尤其属于快恢复二极管芯片的制备方法。
技术介绍
现在市场上应用的高压二极管通常为普通高压二极管和快恢复高压二极管， 普通高压二极管芯片单芯片反向击穿电压VR主要为1200V-1600V，以常用10000V高压二极管为例，单个高压二极管需要串联组装8-10颗二极管芯片，正向导通压降(VF)在 8-10V左右；快恢复高压二极管其单个芯片反向恢复电压VR主要为1200V，同样已10000V 快恢复高压二极管为例，其内需串联至少10-11颗芯片，反向恢复恢复时间trr 40-70ns (测试条件OIf=O. 5A, Ir=IA, Irr=O. 25A),正向约14-16V ;因受封装总数的制约，10000V超压硅堆长度约22*7. 5*7. 5 (mm)，整体尺寸制约整机尺寸；比如，目前国内变频微波炉采用的快恢复高压二极管主要采购为日本松下等进口元器件，国内高压二极管厂家产品主要集中在普通高压二极管。随后出现了专利技术名称为一种快恢复二极管芯片的制备方法，申请号为 201210308248，申请日为2012年8月28日的专利技术方案。该专利技术方案是硅片清洗、氧化、一次扩本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种二极管芯片的制备方法,?包括N+层（1）和P+层（2），其特征在于,采用如下步骤进行:A）、在?N+（1）型衬底硅片正面生长至少一层用于电流漂移的N型层（3）；???B)、在N型层表面生长一层二氧化硅（2）；C）、在二氧化硅（2）层上涂覆光刻胶；D）、在光刻胶上光刻出分压环窗口和主结窗口，腐蚀沟槽；E）、上述D）步骤后，采用离子注入法，生成P+层（2）和P?层（4），形成以P+层为主结，至少一个分压环P?层（4）为副结的闭合环；F）对腐蚀后沟槽涂覆玻璃钝化层（5）；???G）、在N+层（1）和P+层（2）表面均溅射镀镍合金层（6）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邓华鲜，
申请(专利权)人：乐山嘉洋科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：