本实用新型公开了一种IGBT芯片的结构，包括ＭＯＳ场效应晶体管和三极管组成的ＩＧＢＴ单元，还包括控制开关Ｑ、电极N2+和隔离罩，所述ＩＧＢＴ单元设置在隔离罩内，隔离罩设置在电极N2+内，控制开关Ｑ分别与电极N2+和三极管连接，当ＩＧＢＴ...

本发明公开了一种IGBT芯片的控制方法，包括：当IGBT处于正向导通时，控制开关Ｑ处于关闭状态，PN结J2处于反向偏置状态，J1处于正偏状态，由于隔离罩的作用，电场对电极N2+无影响；当IGBT处于反向导通时，控制开关Ｑ处于开启状态，P...

本发明公开了一种IGBT芯片的结构，包括ＭＯＳ场效应晶体管和三极管组成的ＩＧＢＴ单元，还包括控制开关Ｑ、电极N2+和隔离罩，所述ＩＧＢＴ单元设置隔离罩内，隔离罩设置在电极N2+内，控制开关Ｑ分别与电极N2+和三极管连接，当ＩＧＢＴ单元正...

本发明公开了一种整流桥多层烧结焊接工艺，包括如下工艺步骤：ａ．翻转作业；ｂ．取下石墨下模放于平台上，将待烧结的半成品从石墨上模水平转移至已取下的石墨下模上；ｃ．用同一个石墨上模或多个石墨上模重复ａ步骤和ｂ步骤，将二个或二个以上的石墨下模...