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本发明公开了一种二极管芯片的制备方法，尤其属于快恢复二极管芯片的制备方法。包括N+层和P+层，采用如下步骤进行A）、在N+型衬底硅片正面生长至少一层用于电流漂移的N型层；B)、在N型层表面生长一层二氧化硅；C）、在二氧化硅上涂覆光刻胶；D）...
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