一种整流二极管的制作方法技术

本发明专利技术涉及二极管生产工艺领域，具体涉及一种整流二极管的制作方法，包括硅片超砂、硅片清洗、清洗石英架和石英砣、扩散、检测、扩散源制作步骤，其特征在于，采用磷、硼、铂液态源一次全扩散工艺，通过磷硅玻璃吸收实现少子寿命的优化分布，采用开管扩散，扩散炉温度为1250±1℃,扩散时间为12～15小时，放入磷源、硼源和铂微粉，P型区要求R□P=1.1～1.3?R□/?，XjP=90±3μm。与现有技术相比，本发明专利技术的有益效果是：1）提高了硅片表面浓度的均匀性，比纸源扩散工艺缩短20-22h。2）使用寿命比普通二极管增加1500小时左右。?

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于二极管生产工艺领域，具体涉及。
技术介绍
目前，国内在整流二极管工艺生产过程中，采用“N”型单晶硅为原料制备PN结，常用方法有两种，即纸源+独立钼扩散方法和用三氯氧磷、三氧化二硼扩散方法。用纸源+独立钼扩散方法制造的器件存在通态压降大的不足，扩散时产生气体会对环境产生污染；而用三氯氧磷和三氧化二硼扩散，作为杂质源制造出的器件浓度分布均匀，反型严重，导致发生阴极和阳极同极现象。如果需要缩短反向恢复时间需要电子辐照或扩钼，这两种方法都 是均匀地降低少子寿命，而不能实现少子寿命的优化分布。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供，克服现有技术的不足，充分改善二极管性能，提高亚密度整流二极管的阻断伏安特性、正向导通电流容量、反向恢复特性、温度特性及反向过电流能力。为实现上述目的，本专利技术是通过以下技术方案实现的，包括硅片超砂、硅片清洗、清洗石英架和石英砣、扩散、检测、扩散源制作步骤，采用磷、硼、钼液态源一次全扩散工艺，通过磷硅玻璃吸收实现少子寿命的优化分布，其具体操作步骤如下I)硅片超砂将硅片摆在高温四氟架上，放入清洗液中，清洗液的配比是，电子清洗液去离子水=2. 7ml :1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种整流二极管的制作方法，包括硅片超砂、硅片清洗、清洗石英架和石英砣、扩散、检测、扩散源制作步骤，其特征在于，采用磷、硼、铂液态源一次全扩散工艺，通过磷硅玻璃吸收实现少子寿命的优化分布，其具体操作步骤如下：1）硅片超砂将硅片摆在高温四氟架上，放入清洗液中，清洗液的配比是，电子清洗液：去离子水=2.7ml：1000ml，超声清洗30～40分钟，再用60℃～70℃去离子水冲洗，用高纯去离子水超120～150分钟，每30～35分钟更换一次高纯去离子水，然后，用冷热去离子水交替冲洗四遍；2）硅片清洗将超砂完的硅片放入1#液中，1#液的配比按体积比是，氨水：过氧化氢：高纯去离子水=1：2：5，在加热器上...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：于能斌，王景波，刘欣宇，
申请(专利权)人：鞍山市华辰电力器件有限公司，
类型：发明
国别省市：