半导体工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体工艺，包含有下述步骤。首先，提供一基底。接着，形成至少一鳍状结构于基底上。接续，形成一氧化层于鳍状结构以外的基底上。之后，形成一栅极覆盖部分氧化层及部分鳍状结构。而后，进行一蚀刻工艺，蚀刻栅极侧边的部分鳍状结构，而于鳍状结构中形成至少一凹槽。然后，进行一外延工艺，以于凹槽中形成一外延层，其中外延层具有一六角形的剖面结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体工艺，特别涉及一种在栅极结构侧边的鳍状结构中，蚀刻出至少一凹槽以形成具有六角形剖面结构的外延层的半导体工艺。
技术介绍
随着半导体元件尺寸的缩小，维持小尺寸半导体元件的效能是目前业界的主要目标。为了提高半导体元件的效能，目前已逐渐发展出各种鳍状场效晶体管元件(Fin-shapedfield effect transistor, FinFET)。鳍状场效晶体管元件包含以下几项优点。首先，鳍状场效晶体管元件的工艺能与传统的逻辑元件工艺整合，因此具有相当的工艺相容性；其次，由于立体结构增加了栅极与基底的接触面积，因此可增加栅极对于通道区域电荷的控制，从而降低小尺寸元件带来的漏极引发的能带降低(Drain Induced Barrier Lowering,DIBL)效应以及短通道效应(short channel effect);此外，由于同样长度的栅极具有更大的通道宽度，因此亦可增加源极与漏极间的电流量。·现今的鳍状场效晶体管(FinFET)工艺是先形成一栅极结构(例如包含一栅极介电层、一栅极电极位于栅极介电层上、一盖层位于栅极电极上及一间隙壁位于栅极介电层、栅极电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体工艺，包含有：提供一基底；形成至少一鳍状结构于该基底上；形成一氧化层于该鳍状结构以外的该基底上；形成一栅极覆盖部分该氧化层及部分该鳍状结构；进行一蚀刻工艺，蚀刻该栅极侧边的部分该鳍状结构，而于该鳍状结构中形成至少一凹槽；以及进行一外延工艺，以于该凹槽中形成一外延层，其中该外延层具有一六角形的剖面结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：廖晋毅，许嘉麟，李名言，吴心蕙，谢詠伦，陈健豪，李柏轩，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：