【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及液晶制作
，特别是涉及一种。
技术介绍
薄膜晶体管(TFT,Thin Film Transistor)是阵列基板的重要元件之一,薄膜晶体管技术是液晶显示技术的核心，对液晶显示器的质量有着重大的影响。在薄膜晶体管的制作工艺中，一般经过清洗、成膜、光刻、检查修复等过程，其核心工艺是光刻，主要有涂光刻胶、曝光、显影、蚀刻、剥离等环节。在基底上制作薄膜晶体管的金属走线时，由于铜的电阻率较小，更适合用于制作大尺寸液晶显示装置的金属线电路，因此一般采用铜材料制作薄膜晶体管的电极。但是，铜对于光刻工艺却是不利的，并且其与含 硅(Si)的绝缘层的黏着力较差，因此为了克服使用铜的缺点，在溅射铜膜前增加一层含有钥或钛金属的附著层，以通过钥或钛金属加强铜层与绝缘层之间的黏着力。具体地，如图I所示，步骤SI中，首先在玻璃基底10上形成薄膜晶体管的栅极电极11后，在栅极电极11上依次形成绝缘层12、半导体层13、欧姆接触层14、钥金属层15以及用于形成薄膜晶体管的源极和漏极的铜金属层16，然后在铜金属层16上形成光阻层17，对光阻层17进行图案化处理以将在位置171处...
【技术保护点】
一种应用于阵列基板的开关管的制作方法，其特征在于，包括：在基底上依次形成第一金属层、绝缘层、半导体层、欧姆接触层、第二金属层、第三金属层以及光阻层，所述第一金属层用于形成开关管的控制电极，所述第三金属层用于形成所述开关管的输入电极和输出电极；将所述光阻层进行图案化处理以暴露部分第三金属层；蚀刻以除去所述暴露的第三金属层以及对应于暴露的第三金属层下方的第二金属层，以形成所述开关管的输入电极和输出电极，并露出部分所述欧姆接触层；使所述基底与胺含量至少为30%重量的剥离液接触，以除去所述光阻层以及残留的对应于暴露的第三金属层下方的第二金属层；蚀刻所述露出的欧姆接触层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周佑联，陈柏林，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。