晶体管及其形成方法技术

一种晶体管及其形成方法，所述形成方法包括：提供衬底；在衬底中埋入平行于衬底表面的介质条；在所述介质条上形成掺杂区。所述晶体管包括：衬底，位于衬底上的栅极结构，形成于衬底中位于栅极结构两侧的掺杂区，位于掺杂区和衬底交界面处、与衬底表面平行的介质条。本发明专利技术可减小掺杂区和衬底之间的结电容，提高晶体管的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，更具体地，本专利技术涉及一种。
技术介绍
金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管是半导体制造中的最基本器件，其广泛适用于各种集成电路中，根据主要载流子以及制造时的掺杂类型不同，分为NMOS和PMOS晶体管。现有技术提供了一种晶体管的形成方法。请参考图I至图3，为现有技术的晶体管的形成方法剖面结构示意图。请参考图1，提供衬底01，对所述衬底01进行离子注入，并对其进行热处理，形成阱区001 ;对所述衬底01进行离子注入形成离子区002，所述离子区002位于衬底01表面，以进行阈值电压的调节；所述衬底01上形成栅极氧化层02和栅极03，所述栅极氧化层02和栅极03构成栅极结构。接着，请参考图2，在栅极结构两侧的衬底01内形成轻掺杂区04，所述轻掺杂区04通过离子注入并热处理形成。接着，请参考图3，在栅极结构两侧的衬底01上形成栅极结构的侧墙05。以所述侧墙05为掩模，对所述衬底01进行源/漏区重掺杂注入(S/D)，并对其进行热处理，在栅极结构两侧的衬底100内形成源区/漏区06。在公开号为CN101789447A的中国专利申请中可以发现更多关于现有形成晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在衬底中埋入平行于衬底表面的介质条；在所述介质条上形成掺杂区。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵猛，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：