半导体结构及其制作方法、MOS晶体管及其制作方法技术

一种半导体结构的制作方法，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极，所述栅极侧壁形成有偏移侧墙，所述偏移侧墙包括与栅极侧壁接触的第一氧化硅层和位于第一氧化硅层外侧的第一氮化硅层；在所述偏移侧墙外侧形成主侧墙，所述主侧墙包括位于第一氮化硅层外侧的第二氧化硅层和位于第二氧化硅层外侧的第二氮化硅层；利用第一刻蚀溶液刻蚀去除所述主侧墙的第二氮化硅层；利用第二刻蚀溶液刻蚀去除部分厚度的第一氮化硅层；利用第三刻蚀溶液去除所述主侧墙的第二氧化硅层；在半导体衬底、栅极、偏移侧墙上形成应力层。本发明专利技术方法增加了晶体管沟道区的应力，提高了载流子的迁移率，增强了晶体管的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种半导体结构及其制作方法、MOS晶体管及其制作方法。
技术介绍
随着半导体制造技术的飞速发展，为了达到更高的运算速度、更大的数据存储量、以及更多的功能，半导体器件朝向更高的元件密度、及更高的集成度方向发展。伴随半导体器件集成度的提高，金属氧化物半导体晶体管(MOS)的栅极变得越来越细且长度变得比以往更短。为了获得较好的电学性能，通常通过控制载流子迁移率来提高半导体器件性能。该技术的一个关键要素是控制晶体管沟道中的应力。 目前，金属氧化物半导体(MOS)晶体管包括半导体衬底；位于所述半导体衬底上的栅极；位于所述栅极两侧半导体衬底内的源极和漏极；位于所述栅极下方半导体衬底内的导电沟道；所述栅极和导电沟道之间具有栅氧化层；在所述栅极侧壁形成环绕栅极的侧墙(Spacer)，所述侧墙一方面可以保护栅极，另一方面可以防止源/漏注入与导电沟道过于接近而产生漏电流甚至漏/源之间导通。为了进一步提高MOS器件的性能，回刻蚀形成侧墙后，在MOS晶体管表面形成覆盖衬底和栅极表面的应力薄膜，通过应力薄膜对导电沟道施加不同形式的应力(对空穴载流子加压应力，对电子加拉应本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极，所述栅极侧壁形成有偏移侧墙，所述偏移侧墙包括与栅极侧壁接触的第一氧化硅层和位于第一氧化硅层外侧的第一氮化硅层；在所述偏移侧墙外侧形成主侧墙，所述主侧墙包括位于第一氮化硅层外侧的第二氧化硅层和位于第二氧化硅层外侧的第二氮化硅层；利用第一刻蚀溶液刻蚀去除所述主侧墙的第二氮化硅层；利用第二刻蚀溶液刻蚀去除部分厚度的第一氮化硅层；利用第三刻蚀溶液去除所述主侧墙的第二氧化硅层；在半导体衬底、栅极、偏移侧墙上形成应力层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘焕新，刘佳磊，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：