沟槽晶体管的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种沟槽晶体管的制造方法，通过在栅多晶硅顶部形成绝缘介质层、并用绝缘介质层为掩膜进行源极区域的刻蚀和源极注入，以及通过在绝缘介质层的侧面形成侧墙介质层、并用绝缘介质层和侧墙介质层为掩膜进行背栅接触区域的刻蚀和背栅注入，能减少正面工艺所需要的掩膜板数量、降低生产成本，能避免不同掩膜版对准偏差的限制，从而能进一步减少沟槽晶体管的尺寸和提高芯片内沟槽晶体管的密度、并有利于获得具有更小的导通电阻、更低的饱和压降和更大的电流驱动能力的沟槽晶体管。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体集成电路制造工艺方法，特别是涉及一种。
技术介绍
在功率和高压器件的应用中，希望晶体管的导通电阻更小、饱和压降更低、电流驱动能力更大，如何能在一定的芯片面积内集成更多 的器件就显得尤为重要。现有纵向双扩散场效应晶体管(VDMOS)和现有绝缘栅双极晶体管(IGBT)的栅极都是形成于沟槽中，具有相似的正面结构，现有技术形成这些具有沟槽式栅极的沟槽晶体管的源极、背栅等工艺中都要用到各种相应的掩膜版。不同掩膜版之间的对准偏差，会使得器件尺寸无法按需求而缩小，而更精准的光刻技术使得制造成本昂贵，不利于量产。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种，能减少正面工艺所需要的掩膜板数量、降低生产成本，能避免不同掩膜版对准偏差的限制，从而能进一步减少沟槽晶体管的尺寸和提高芯片内沟槽晶体管的密度、并有利于获得具有更小的导通电阻、更低的饱和压降和更大的电流驱动能力的沟槽晶体管。为解决上述技术问题，本专利技术提供的包括如下步骤步骤一、在顶部形成有P型阱的N型承压区上形成沟槽，该沟槽穿过所述P型阱并进入到所述N型承压区中，在所述沟槽的底部和侧壁表面形成栅氧化层。步骤二、在所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种沟槽晶体管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在顶部形成有P型阱的N型承压区上形成沟槽，该沟槽穿过所述P型阱并进入到所述N型承压区中，在所述沟槽的底部和侧壁表面形成栅氧化层；步骤二、在所述沟槽中填入N型栅多晶硅，所述栅多晶硅的顶部进入所述P型阱中但未将所述沟槽填满；在所述沟槽中再填入绝缘介质层，所述绝缘介质层位于所述栅多晶硅的顶部并将所述沟槽完全填满；步骤三、以所述绝缘介质层为第一掩膜进行第一次刻蚀，所述第一次刻蚀是对所述沟槽外的所述P型阱进行刻蚀，所述P型阱被刻蚀掉部分厚度；采用所述第一掩膜进行全区域的源极注入，在刻蚀后的所述P型阱的表面形成源极，所述源极下方的所述P型阱被所述...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：韩峰，段文婷，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：