一种半导体器件制造技术

公开了一种半导体器件，在半导体衬底上形成SiGe弛豫层；在所述SiGe弛豫层上形成电介质层，在所述电介质层上形成替代栅，所述电介质层和所述替代栅构成了替代栅结构；沉积层间介电层，对所述层间介电层进行平坦化处理，以暴露出所述替代栅；刻蚀去除所述替代栅和所述电介质层，以形成开口；在所述开口中执行选择性半导体外延生长，形成半导体外延层；沉积高K介电层和金属层；以及对所沉积的金属层和高K介电层执行平坦化处理，去除覆盖在所述层间介电层上的高K介电层和金属层，形成金属栅。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹海洲，朱慧珑，骆志炯，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
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