漂移区的形成方法技术

本发明专利技术提出一种漂移区的形成方法，在半导体衬底上形成栅极，再涂覆光刻胶层，对所述光刻胶层进行显影、曝光处理后，先对栅极两侧暴露出的栅极介质层进行刻蚀，保留一部分栅极介质层，再直接对剩余的栅极介质层以及其下的半导体衬底进行离子注入形成漂移区，从而简化了工艺步骤，降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种。
技术介绍
目前，一般非对称型MOS管，其源极不可耐高压，只有漏极可耐高压，而另一种对称型MOS管，其源极和漏极均能承受高压。因此，高压集成电路中多数采用对称型MOS器件。传统的高压对称型MOS管的形成方法包括首先，提供半导体衬底10，在所述半导体衬底10上栅极介质层20 ;在所述栅极介质层20上形成栅极30，如图I所示；其中，所述栅极介质层20的厚度通常大于400埃。 接着，涂覆第一光刻胶层41，所述第一光刻胶层41覆盖所述半导体衬底10以及所述栅极30 ;随后对所述第一光刻胶层41进行曝光、显影，暴露出所述栅极30两侧的所述栅极介质层20，如图2所示；接着，以所述第一光刻胶层41作为掩膜，对暴露的栅极介质层20进行刻蚀，保留一部分的栅极介质层20’ ；去除所述第一光刻胶层41，暴露出所述栅极30，如图3所示；接下来，涂覆第二光刻胶层42，并对所述第二光刻胶层42进行曝光、显影，暴露出所述栅极30两侧的栅极介质层20’ ；对剩余的栅极介质层20’及所述半导体衬底10进行离子注入，形成P型漂移区(或N型漂移区)70，并去除所述第二光刻胶层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种漂移区的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的表面形成栅极介质层；在所述栅极介质层的表面形成栅极；涂覆光刻胶层，所述光刻胶层覆盖所述半导体衬底以及所述栅极；对所述光刻胶层进行曝光、显影，暴露出所述栅极两侧的栅极介质层；以所述光刻胶层作为掩膜，刻蚀去除一部分的栅极介质层；以所述光刻胶层作为阻挡，对剩余的栅极介质层及所述半导体衬底进行离子注入，形成漂移区。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：令海阳，黄庆丰，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：