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本发明提出一种漂移区的形成方法，在半导体衬底上形成栅极，再涂覆光刻胶层，对所述光刻胶层进行显影、曝光处理后，先对栅极两侧暴露出的栅极介质层进行刻蚀，保留一部分栅极介质层，再直接对剩余的栅极介质层以及其下的半导体衬底进行离子注入形成漂移区，从...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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