一种高压二极管芯片合金工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种高压二极管芯片合金工艺，将镀镍芯片与高温焊片逐片间隔堆叠通过高频合金炉进行一次合金，一次合金时，在镀镍扩散片的最外层覆盖低温焊片，使焊片有效保护最外层镀镍片，防止高温氧化；二次合金时，用低温焊片置于一次合金半成品硅叠最外层，使低温焊片之间进行有效融合，确保焊接质量，避免镀镍芯片再镀金过程中引入剧毒物品氰化金钾，提高产品制造过程的安全性，同时极大降低产品成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种高压二极管芯片合金工艺。
技术介绍
在高压二极管芯片加工时，需要对芯片表面镀一层贵金属金，增加芯片与焊料的浸润性。通常，采用的处理方法如化学镀金，化学镀是一种新型的金属表面处理技术，该技术工艺简便、快捷。但是，化学镀金过程，易引入剧毒性物品氰化金钾，造成生产过程的不安全。同时，金的价格昂贵，镀金后使产品的成本大幅提升
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种生产安全、成本较低的高压二极管芯片合金工艺。为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案为一种高压二极管芯片合金工艺，其特征在于包括以下步骤 (1)将镀镍芯片与高温焊片逐片间隔堆叠，最外层镀镍芯片的另一面各放置一片低温焊片； (2)将上述堆叠的材料置于高频合金炉内进行一次合金加热，使高温焊片与镀镍芯片形成良好的合金，将低温焊片完全熔化，完全覆盖于最外层镀镍芯片，以防止最外层镀镍芯片氧化； (3)在上述一次合金半产品两面各放置一片低温焊片，置于高频合金炉中进行二次合金加热，使低温焊片与一次合金半产品形成良好合金。优选地，步骤(I)中所述高温焊片厚度为50ιιπΓ 00ιιπι，液相线305°C，所述低温焊片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压二极管芯片合金工艺，其特征在于：包括以下步骤：（1）将镀镍芯片与高温焊片逐片间隔堆叠，最外层镀镍芯片的另一面各放置一片低温焊片；（2）将上述堆叠的材料置于高频合金炉内进行一次合金加热，使高温焊片与镀镍芯片形成良好的合金，将低温焊片完全熔化，完全覆盖于最外层镀镍芯片，以防止最外层镀镍芯片氧化；（3）在上述一次合金半产品两面各放置一片低温焊片，置于高频合金炉中进行二次合金加热，使低温焊片与一次合金半产品形成良好合金。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄丽凤，
申请(专利权)人：如皋市大昌电子有限公司，
类型：发明
国别省市：