一种高压二极管芯片合金工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种高压二极管芯片合金工艺，将镀镍芯片与高温焊片逐片间隔堆叠通过高频合金炉进行一次合金，一次合金时，在镀镍扩散片的最外层覆盖低温焊片，使焊片有效保护最外层镀镍片，防止高温氧化；二次合金时，用低温焊片置于一次合金半成品硅叠最外层，使低温焊片之间进行有效融合，确保焊接质量，避免镀镍芯片再镀金过程中引入剧毒物品氰化金钾，提高产品制造过程的安全性，同时极大降低产品成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种高压二极管芯片合金工艺。
技术介绍
在高压二极管芯片加工时，需要对芯片表面镀一层贵金属金，增加芯片与焊料的浸润性。通常，采用的处理方法如化学镀金，化学镀是一种新型的金属表面处理技术，该技术工艺简便、快捷。但是，化学镀金过程，易引入剧毒性物品氰化金钾，造成生产过程的不安全。同时，金的价格昂贵，镀金后使产品的成本大幅提升
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种生产安全、成本较低的高压二极管芯片合金工艺。为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案为一种高压二极管芯片合金工艺，其特征在于包括以下步骤 (1)将镀镍芯片与高温焊片逐片间隔堆叠，最外层镀镍芯片的另一面各放置一片低温焊片； (2)将上述堆叠的材料置于高频合金炉内进行一次合金加热，使高温焊片与镀镍芯片形成良好的合金，将低温焊片完全熔化，完全覆盖于最外层镀镍芯片，以防止最外层镀镍芯片氧化； (3)在上述一次合金半产品两面各放置一片低温焊片，置于高频合金炉中进行二次合金加热，使低温焊片与一次合金半产品形成良好合金。优选地，步骤(I)中所述高温焊片厚度为50ιιπΓ 00ιιπι，液相线305°C，所述低温焊片厚度为30unT80um，液相线280°C。优选地，步骤(2)中所述合金加热条件为熔化深度300unT600um，转换功率359^50%。优选地,步骤(3)中所述低温焊片厚度为80unTl20um,液相线280°C ;所述二次合金加热条件为熔化深度50unT90um，转换功率15% 35%。本专利技术的有益效果如下 1.本专利技术直接使用镀镍芯片，与焊片结合使用得到高压二极管芯片，避免使用化学镀金，降低安全风险，并能够节约制作成本； 2.通过调节熔化深度和转换功率，及在一次合金最外层使用低温焊片，防止一次合金过程中镀镍片被氧化，保证镀镍扩散片与焊片形成良好合金，保证产品质量。附图说明图I为本专利技术一次合金半成品结构示意图。图2为本专利技术二次合金产品结构示意图。图中，I为低温焊片，2为高温焊片，3为镀镍芯片，4为一次合金半成品，5为低温焊片。具体实施例方式为了使公众能充分了解本专利技术的技术实质和有益效果，申请人将在下面结合附图对本专利技术的具体实施方式详细描述，但申请人对实施例的描述不是对技术方案的限制，任何依据本专利技术构思作形式而非实质的变化都应当视为本专利技术的保护范围。如图1、2所示，为本专利技术一次合金半成品和二次合金产品结构示意图，包括低温焊片1，高温焊片2，镀镍芯片3，一次合金半成品4，低温焊片5。一种高压二极管芯片合金工艺，包括以下步骤 (1)将镀镍芯片3与高温焊片2逐片间隔堆叠，最外层镀镍芯片3的另一面各放置一片低温焊片，如图I所示低温焊片I厚度为30ιιπΓ80ιιπι，液相线280°C，高温焊片2厚度为 50um 100um,液相线 305°C ； (2)将上述堆叠的材料置于高频合金炉内进行一次合金加热，使高温焊片2与镀镍芯片3形成良好的合金，熔化深度300unT600um，转换功率35°/Γ50%，将低温焊片I完全熔化，完全覆盖于最外层镀镍芯片，以防止最外层镀镍芯片3氧化，； (3)在上述一次合金完成半产品4两面各放置一片低温焊片5，低温焊片5厚度为80unTl20um，液相线280°C，置于高频合金炉中进行二次合金加热，熔化深度50unT90um，转换功率15°/Γ35%，使低温焊片5与一次合金半产品4形成良好合金。权利要求1.一种高压二极管芯片合金工艺，其特征在于包括以下步骤 (1)将镀镍芯片与高温焊片逐片间隔堆叠，最外层镀镍芯片的另一面各放置一片低温焊片； (2)将上述堆叠的材料置于高频合金炉内进行一次合金加热，使高温焊片与镀镍芯片形成良好的合金，将低温焊片完全熔化，完全覆盖于最外层镀镍芯片，以防止最外层镀镍芯片氧化； (3)在上述一次合金半产品两面各放置一片低温焊片，置于高频合金炉中进行二次合金加热，使低温焊片与一次合金半产品形成良好合金。2.根据权利要求I所述的一种高压二极管芯片合金工艺，其特征在于步骤(I)中所述高温焊片厚度为50unTl00um，液相线305°C，所述低温焊片厚度为30unT80um，液相线280。。。3.根据权利要求I所述的一种高压二极管芯片合金工艺，其特征在于步骤(2)中所述合金加热条件为熔化深度300unT600um，转换功率35% 50%。4.根据权利要求I所述的一种高压二极管芯片合金工艺，其特征在于步骤(3)中所述低温焊片厚度为80unTl20um，液相线280°C ;所述二次合金加热条件为熔化深度50unT90um，转换功率 15% 35%。全文摘要本专利技术公开了一种高压二极管芯片合金工艺，将镀镍芯片与高温焊片逐片间隔堆叠通过高频合金炉进行一次合金，一次合金时，在镀镍扩散片的最外层覆盖低温焊片，使焊片有效保护最外层镀镍片，防止高温氧化；二次合金时，用低温焊片置于一次合金半成品硅叠最外层，使低温焊片之间进行有效融合，确保焊接质量，避免镀镍芯片再镀金过程中引入剧毒物品氰化金钾，提高产品制造过程的安全性，同时极大降低产品成本。文档编号H01L21/60GK102945810SQ201210394408公开日2013年2月27日 申请日期2012年10月17日 优先权日2012年10月17日专利技术者黄丽凤 申请人:如皋市大昌电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压二极管芯片合金工艺，其特征在于：包括以下步骤：（1）将镀镍芯片与高温焊片逐片间隔堆叠，最外层镀镍芯片的另一面各放置一片低温焊片；（2）将上述堆叠的材料置于高频合金炉内进行一次合金加热，使高温焊片与镀镍芯片形成良好的合金，将低温焊片完全熔化，完全覆盖于最外层镀镍芯片，以防止最外层镀镍芯片氧化；（3）在上述一次合金半产品两面各放置一片低温焊片，置于高频合金炉中进行二次合金加热，使低温焊片与一次合金半产品形成良好合金。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄丽凤，
申请(专利权)人：如皋市大昌电子有限公司，
类型：发明
国别省市：