半导体器件的形成方法技术

一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底上具有若干焊盘；在所述半导体基底上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层具有暴露所述焊盘的第一开口；在所述焊盘上形成柱状电极，所述柱状电极包括本体和位于本体中并贯穿所述本体的通孔，所述通孔暴露焊盘表面；在所述柱状电极上形成焊球，所述焊球包括位于柱状电极顶部的金属凸头和填充满所述通孔的填充部。形成的焊球与柱状电极构成类似插销的结构，提高了焊球与柱状电极之间的结合力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体封装领域，特别涉及一种能提高焊球与柱状电极结合力的。
技术介绍
芯片级封装(Chip Scale Package, CSP)作为最新一代的芯片封装技术,CSP封装的产品具有体积小、电性能好和热性能好等优点。圆片级CSP (WCSP)作为芯片级封装的一种，是先在圆片上进行封装，并以圆片的形式进行测试，老化筛选，其后再将圆片分割成单一的CSP电路。公开号为CN1630029A的中国专利中公开了一种圆片级CSP结构的半导体器件，请参考图1，包括半导体基底11，所述半导体基底11上具有焊盘12 ;位于所述半导体基底11表面的钝化层14，所述钝化层14具有暴露焊盘12表面的开口 ；位于部分钝化层14表面以及开口内的再布线层16，再布线层16与焊盘12相连接；位于所述开口外的再布线层16表面的柱状电极17 ;覆盖所述再布线层16和部分钝化层14表面的绝缘层20，绝缘层20的表面与柱状电极17的表面平齐；位于柱状电极17表面的焊球21。现有的半导体器件中的焊球容易从柱状电极的表面脱落。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提高了一种，提高了焊球与柱状电极之间结合度。为解决上述问题本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底上具有若干焊盘；在所述半导体基底上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层具有暴露所述焊盘的第一开口；在所述焊盘上形成柱状电极，所述柱状电极包括本体和贯穿所述本体的通孔，所述通孔暴露焊盘表面；在所述柱状电极上形成焊球，所述焊球包括位于柱状电极顶部的金属凸头和填充满所述通孔的填充部。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括 提供半导体基底，所述半导体基底上具有若干焊盘； 在所述半导体基底上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层具有暴露所述焊盘的第一开Π ； 在所述焊盘上形成柱状电极，所述柱状电极包括本体和贯穿所述本体的通孔，所述通孔暴露焊盘表面； 在所述柱状电极上形成焊球，所述焊球包括位于柱状电极顶部的金属凸头和填充满所述通孔的填充部。2.如权利要求I所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，位于所述本体中的通孔的数量为I个，所述柱状电极的通孔的半径与本体的宽度的比值为的1/1(Γ10/1。3.如权利要求I所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，其特征在于，位于所述本体中的通孔的数量大于I个，所述通孔在本体中独立分布。4.如权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述通孔在本体中呈直线分布、矩阵分布、同心圆分布、同心圆环分布、多边形分布或者不规则分布。5.如权利要求2或3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述柱状电极形成的过程为在所述第一开口的侧壁和底部、以及第一绝缘层的表面形成种子层；在所述种子层的表面形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层填充满第一开口 ；图形化第一开口内的第一光刻胶层，形成暴露种子层表面的凹槽，凹槽中剩余的部分光刻胶作为第一光刻胶层立柱，第一光刻胶层立柱数量大于等于一个；在凹槽中填充金属，形成柱状电极的本体；去除第一光刻胶层立柱、以及本体之外的第一光刻胶层，第一光刻胶层立柱对应的位置形成通孔，所述通孔和本体构成柱状电极；以所述柱状电极为掩膜去除部分所述种子层。6.如权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在凹槽中填充满金属的工艺为电镀工艺。7.如权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述凹槽的外侧侧壁与第一开口的侧壁重合。8.如权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述柱状电极的本体的外侧表面与第一开口的侧壁接触，柱状电极顶部表面与第一绝缘层的表面平齐或低于第一绝缘层的表面。9.如权利要求8所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述柱状电极的本体的顶部表面以及内侧侧壁表面还形成有金属阻挡层，金属阻挡层的厚度小于通孔的半径。10.如权利要求8所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述焊球的形成过程为将印刷网板或不锈钢板置于所述第一绝缘层表面，所述印刷网板或不锈钢板具有暴露所述柱状电极本体和通孔的第三开口 ；在所述第三开口和通孔内填充满焊锡膏；移除所述印刷网板或不锈钢板；对所述焊锡膏进行回流工艺，在柱状电极顶部形成金属凸头和在通孔中形成填充部，所述金属凸头和填充部构成焊球。11.如权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述凹槽的外侧侧壁位于第一开口内，凹槽外侧侧壁和第一开口之间为第一光刻胶层，柱状电极的顶部表面高于第一绝缘层的表面。12.如权利要求11所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除所述第一光刻胶层后，所述柱状电极的四周外侧侧壁与第一开口的四周侧壁之间形成有环形刻蚀凹槽，环形刻蚀凹槽暴露出柱状电极两侧的部分焊盘。13.如权利要求12所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述焊球的形成过程为将印刷网板或不锈钢板置于第一绝缘层表面，所述印刷网板或不锈钢板具有暴露所述柱状电极的本体和通孔以及环形刻蚀凹槽的第四开口 ；在第四开口、通孔和环形刻蚀凹槽填充满焊锡膏；移除所述印刷网板或不锈钢板；对所述焊锡膏进行回流工艺，在所述在柱状电极顶部形成金属凸头和在通孔中形成填充部，同时在所述柱状电极本体的外侧侧壁上形成裙带部，裙带部的上部分与金属凸头下沿连接，裙带部的下部分与...

【专利技术属性】
技术研发人员：林仲珉，
申请(专利权)人：南通富士通微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：