标准芯片尺寸封装制造技术

技术编号:8367348 阅读:183 留言:0更新日期:2013-02-28 06:52
本发明专利技术公开了一种标准芯片尺寸封装。所述标准芯片尺寸封装提供了与芯片两侧上的凸点装置触点的电连接。所述封装在一个标准构型上连接在一个印刷电路板上。本发明专利技术同时公开了制造所述标准芯片封装的方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及半导体封装,特别是一种标准芯片尺寸封装
技术介绍
电子设备的小型化引导了更小型的半导体装置的设计和制造。半导体装置一般被封装用于电连接印刷电路板的布线。芯片尺寸封装提供了半导体装置尺寸上的封装,从而最小化封装所消耗的电路板空间。如MOSFETs(metallic oxide semiconductor field effecttransistor 金属氧化物半导体场效应晶体管)的这类垂直传导功率半导体装置具有在装置的第一表面上形成的两个电极或接头以及在装置的第二表面上形成的一第三个电极或接头。为了把电极焊接 到印刷电路板上,一些传统的芯片尺寸封装所用的方法是把所有的电极布置在装置的同一侦U。例如,美国第6,646,329号专利公开了一个封装,包括导线架及其上结合的晶片。该晶片被连接到所述导线架上,其背面(漏极接点)与从导线架上延伸出的源极引脚和栅极引脚共面。所公开的这个结构非常复杂。另一个优先技术的芯片尺寸封装包括一个晶片,其漏极侧安装在一个金属夹下,或者其源极和栅极电极被设置与该金属夹的延伸区域的边缘表面共平面,或者其如美国第6,624,522.号专利所公开。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造标准芯片尺寸封装的方法,其特征在于,包括以下步骤:提供一个前侧具有触点而后侧具有背侧金属的晶圆;在所述晶圆后侧形成钝化层;在晶圆后侧打开窗口以暴露背侧金属;在金属衬垫和晶圆的两侧化学镀镍/金镀层(Ni/Au),以形成下部凸点金属镀层;在下部凸点金属镀层上设置焊接球;切割晶圆形成一组凸点芯片。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:冯涛安荷·叭剌何約瑟
申请(专利权)人:万国半导体股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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