一种半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术提供半导体器件的制造方法，包括：提供绝缘体上硅晶片，所述绝缘体上硅晶片包括硅基体、掩埋氧化物层和形成在掩埋氧化物层上的硅层；在所述硅层上形成掩膜；蚀刻所述硅层，且在所述蚀刻工艺后去除所述硅层上的所述掩膜，以形成FinFet器件的鳍；对所述鳍进行减薄处理。根据本发明专利技术，在对FinFet器件的鳍（Fin）进行图形化的过程中，可以提高光刻和蚀刻工艺的工艺窗口，可以实现具有更小特征尺寸的鳍。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造工艺，具体而言涉及一种形成FinFet器件的鳍(Fin)的方法。
技术介绍
鳍式场效应晶体管(FinFet)是用于22nm及以下工艺节点的先进半导体器件，其可以有效控制器件按比例缩小所导致的难以克服的短沟道效应。在制作FinFet的过程中，鳍(Fin)的制作对于半导体制造工艺而言是具有挑战性的，因为22nm及以下工艺节点下的Fin的高度为30-40nm，对应于一定的深宽比，Fin的宽度仅为12_17nm。由此可见，在鳍(Fin)的制作过程中，需要使用更小的光刻特征尺寸和蚀刻特征尺寸，导致相应的工艺窗口·达到临界值，在Fin的图形化过程中，所述Fin的图形容易出现垮塌现象。因此，需要提出一种方法，提供更宽的工艺窗口，保证高深宽比条件下的鳍(Fin)的制作。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术提供，包括提供绝缘体上硅晶片，所述绝缘体上硅晶片包括硅基体、掩埋氧化物层和形成在掩埋氧化物层上的硅层；在所述硅层上形成掩膜；蚀刻所述硅层，且在所述蚀刻工艺后去除所述硅层上的所述掩膜，以形成FinFet器件的鳍；对所述鳍进行减薄处理。进一步，所述蚀刻过程所采用的所述鳍的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，包括：提供绝缘体上硅晶片，所述绝缘体上硅晶片包括硅基体、掩埋氧化物层和形成在掩埋氧化物层上的硅层；在所述硅层上形成掩膜；蚀刻所述硅层，且在所述蚀刻工艺后去除所述硅层上的所述掩膜，以形成FinFet器件的鳍；对所述鳍进行减薄处理。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：韩秋华，黄怡，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：