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一种半导体结构的制作方法，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极，所述栅极侧壁形成有偏移侧墙，所述偏移侧墙包括与栅极侧壁接触的第一氧化硅层和位于第一氧化硅层外侧的第一氮化硅层；在所述偏移侧墙外侧形成主侧墙，所述主侧墙包括位于第...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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