形成金氧半导体场效晶体管的自我对准接触窗的方法技术

一种于半导体基板中形成接触窗的方法，该方法包括：于一半导体基板中形成多个分别具有一突出部的沟槽栅极；于该半导体基板上沉积一停止层，并令其延伸至所述突出部上，其中该停止层沿着所述突出部的各侧壁延伸的部分分别被一间隙壁所覆盖；通过该停止层相对所述间隙壁有较高的蚀刻选择性以移除该停止层未被所述间隙壁覆盖的部分，进而在相邻的突出部间形成开口，且在各侧壁上形成一L型部位，然后通过微影制程形成自我对准接触窗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种金氧半场效晶体管(MOSFET)技术，具体涉及一种金氧半导体场效电晶体(MOSFET)的制造技术，且特别有关于一种具有自我对准接触窗的沟槽金氧半导体场效电晶体(trench M0SFET)的制造技术。
技术介绍
半导体工业中，功率金氧半导体场效晶体管(power M0SFET)为众所皆知，其中一类为垂直传导型的沟槽金氧半导体场效晶体管。图I为一传统沟槽金氧半导体场效晶体管的剖面示意图，其中金氧半导体场效晶体管100具有各包含一多晶硅栅极108的多个沟槽106,且各多晶娃栅极108通过一栅极介电质(gate dielectric) 112绝缘于基板本体区(body region) 110 ;源极区114形成于该多个沟槽各别的侧面；介电层116使该多晶娃栅极108与一金属层118绝缘；且基板区102形成该金氧半导体场效晶体管100的漏极。当金氧半导体场效晶体管100处于开启状态，电流于源极区114与基板区102间流动，且该电流为漏极与源极间电阻(drain to source resistance, Rdson)的函数；因此为了改善该金氧半导体场效晶体管的电流性能，必本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在一半导体基板中形成开口的制作方法，该半导体基板具有一第一突出部及一第二突出部，该第一突出部具有一第一侧壁与一第二侧壁，该第二突出部具有一第三侧壁与一第四侧壁，其中该第二侧壁与该第三侧壁位于该第一侧壁与该第四侧壁之间，其特征在于：该制作方法包括了以下的工艺步骤：a.在该半导体基板上形成一第一层，令该第一层延伸至该第一突出部与该第二突出部上；b.沿着该第二侧壁形成一第一间隙壁，及沿着该第三侧壁形成一第二间隙壁；及c.通过移除该第一层位于该第一间隙壁与该第二间隙壁间的部分，令一第一开口形成在该半导体基板中且位于该第一突出部与该第二突出部之间，并令该第一层沿着该第二侧壁所留下的部分形成一第一L型...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：戴嵩山，叶腾豪，陈佳慧，
申请(专利权)人：大中集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：