势垒肖特基与金氧半场效晶体管的整合结构及制造方法技术

一种肖特基二极管与金属氧化半导体场效晶体管(MOSFET)的整合结构及其制造方法。该整合结构提供一增加接触面积的肖特基二极管，该接触面积介于一肖特基势垒金属以及一半导体基板之间。较大的肖特基接面接触面积能降低横跨该肖特基二极管的顺向电压，进而提升该肖特基二极管的特性以及效能。本发明专利技术同时披露了具有多个沟槽及多个上部平台的肖特基二极管，通过所述沟槽与平台形成更大的肖特基接触面面积，同时，缩小两沟槽间的间距尺寸，由此提升在至少两个MOSFET之间的沟槽使用率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种金氧半场效晶体管(MOSFET)技术，具体涉及一种整合肖特基二极管的金氧半场效晶体管(MOSFET)的结构与制造该结构的制造方法。
技术介绍
电源转换器经常应用于一个典型的脉冲宽度调制(PWM)电路，其目标是产生一直流-直流转换器的输出电压，该转换器的功率高边金属氧化半导体场效晶体管(MOSFET)以及该功率低边MOSFET可修正该输出电压的功率。在操作当中，功率低边(low side, LS)MOSFET由关闭态切换到开启态通常需要较长的时间，在此时间周期里，当作用于漏极的电压高于源极的电压时，一内建二极管会开启，一电流会经由漏极穿过该内建二极管并通往功率高边M0SFET，造成在功率高边MOSFET端有功率的损失。因此，为防止内建二极管开启， 可通过一肖特基二极管与该内建二极管并联以消除该内建二极管的反向恢复的功率损失。肖特基二极管的顺向偏压决定于该组件金属与半导体之间的接触面积，又称为肖特基接面面积，越大的肖特积接面面积降低了该组件的顺向电压降及增加电流流量。因此，当一肖特基二极管与一内建二极管并联且横跨一 MOSFET的漏极及源极电极时，拥有较大的肖特基接面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种沟槽接面势垒肖特基及金氧半场效晶体管的整合结构，其特征在于，该结构包含一金氧半场效晶体管和一沟槽接面势垒肖特基；所述金氧半场效晶体管包括一源极电极，且该金氧半场效晶体管形成在一第一传导型的半导体基板中；所述沟槽接面势垒肖特基形成于该第一传导型的半导体基板中，并邻近于该金氧半场效晶体管，其包含：一第一沟槽，设在该第一传导型的半导体基板上；一第一上部平台，邻近该第一沟槽；一肖特基二极管势垒金属，覆盖在该第一沟槽的内部表面，并延伸至该第一上部平台上；以及一接触金属，覆盖在该肖特基二极管势垒金属之上，其中该接触金属电性连结该源极电极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：戴嵩山，李柏贤，杨国良，廖显皜，
申请(专利权)人：大中集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：