【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种肖特基势垒器件及其制造方法；该肖特基势垒器件具有掺氧肖特基势垒区(O-M-Si)，较传统的肖特基器件具有低的势垒高度，同等面积下，具有低的正向饱和压降（VF)。【专利说明】
本专利技术主要涉及到肖特基势垒器件的势垒结成分和制造流程，尤其涉及一种肖特基势垒器件的掺氧金属硅化物势垒结和生产制造的制作流程。
技术介绍
目前肖特基半导体器件得到广泛应用，肖特基器件较普通PN结二极管最大性能优势在于其具有较低的正向饱和压降(VF)，而现在评价不同生产商制造的肖特基器件主要评价指标，同等面积下，生产出的肖特基器件具有更低的正向饱和压降，将更具有竞争优势；而本专利技术提供一种肖特基势垒器件，在同等条件下具有更低的正向饱和压降，且只在传统的制作流程中稍作改动，非常容易实现。
技术实现思路
本专利技术的肖特基势垒器件具有低的正向饱和压降，且在传统的制作流程中稍作改动，即可实现 。本专利技术提供: 1、一种肖特基势垒器件，其特征在于:势垒层(O-M-Si)，为掺氧金属硅化物形成的势垒结； 2、如权利要求1所述的肖特基势垒器件，其特征在于:所...
【技术保护点】
一种肖特基势垒器件，其特征在于：势垒层(O‑M‑Si)，为掺氧金属硅化物形成的势垒结。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：洪旭峰，
申请(专利权)人：上海芯石微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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