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本发明公开了一种肖特基势垒器件及其制造方法；该肖特基势垒器件具有掺氧肖特基势垒区(O-M-Si)，较传统的肖特基器件具有低的势垒高度，同等面积下，具有低的正向饱和压降（VF)。...
该专利属于上海芯石微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海芯石微电子有限公司授权不得商用。

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