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一种肖特基二极管与金属氧化半导体场效晶体管(MOSFET)的整合结构及其制造方法。该整合结构提供一增加接触面积的肖特基二极管，该接触面积介于一肖特基势垒金属以及一半导体基板之间。较大的肖特基接面接触面积能降低横跨该肖特基二极管的顺向电压，进...
该专利属于大中集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过大中集成电路股份有限公司授权不得商用。

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