绝缘栅控横向场发射晶体管及其驱动方法技术

一种绝缘栅控横向场发射晶体管及其驱动方法，包括：第一栅介质层，具有相对的第一表面和第二表面；第一栅电极，位于所述第一栅介质层的第一表面上；收集极和发射极，位于所述第一栅介质层的第二表面上、所述第一栅电极的两侧，所述收集极和发射极彼此绝缘且二者之间具有空隙。本发明专利技术在场效应晶体管中通过发射极到收集极的场发射电流来实现导电，同时用第一栅电极来控制发射极至收集极的横向场发射的电流开关，摆脱了常规MOS场效应晶体管中沟道区域的晶格结构对载流子输运的限制，能够满足工艺发展的需要，而且具有更快的响应速度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件领域，特别涉及ー种。
技术介绍
随着半导体技术的发展和器件特征尺寸(⑶，Critical Dimension)的不断减小，常规的MOS场效应晶体管所面对的挑战也越来越严峻。对于常规的MOS场效应晶体管，载流子在沟道中的运动方式主要包括漂移、扩散和散射。为了提高载流子迁移率，当前一大主流技术是应变硅技术，主要是对MOS晶体管的沟道区域引入应力，如张应カ或压应力，从而改变沟道区域的晶格结构，改善载流子输运效率。 但是，随着器件尺寸的进ー步减小，MOS场效应晶体管的沟道长度变得非常的小，载流子在短距离的沟道晶格中的弹射运动越来越显著，使得应变硅技术也将遭遇到瓶颈，无论是载流子的迁移率还是电流密度都将受到显著的影响。因此，需要一种新的半导体器件结构以满足エ艺发展的需要。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供ー种，以满足半导体エ艺发展的需要。为解决上述问题，本专利技术提供了ー种绝缘栅控横向场发射晶体管，包括第一栅介质层，具有相对的第一表面和第二表面；第一栅电极，位于所述第一栅介质层的第一表面上；收集极和发射极，位于所述第一栅介质层的第二表面上、所述第一栅电极的两侧，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种绝缘栅控横向场发射晶体管，其特征在于，包括：第一栅介质层，具有相对的第一表面和第二表面；第一栅电极，位于所述第一栅介质层的第一表面上；收集极和发射极，位于所述第一栅介质层的第二表面上、所述第一栅电极的两侧，所述收集极和发射极彼此绝缘且二者之间具有空隙。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：殷华湘，董立军，陈大鹏，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：