多晶硅薄膜晶体管的制备方法技术

本发明专利技术提供一种掩膜金属诱导晶化的多晶硅薄膜晶体管的制备方法，包括：连续横向区域的多晶硅薄膜去除镍硅氧化物、纳米二氧化硅层和化学氧化层，以Freckle刻蚀液湿刻成有源硅岛，通过低压化学气相沉的方法在425℃下沉积50纳米厚的低温氧化物作为栅极绝缘层；形成栅电极，将硼以4×1015/cm2计量离子注入源极和漏极；以LPCVD的方法沉积500nm的氧化物作为绝缘层并在栅极、源极和漏极区域上开电极接触孔；溅射700纳米厚的含1％Si的铝光刻形成测试电极，在氢气与氮气的合成气体中420℃下烧结30分钟以形成良好的欧姆接触，同时活化掺杂物。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及多晶硅技术，更具体地，涉及一种多晶硅薄膜和薄膜晶体管及相应的制备方法。
技术介绍
2006年开始，出现了基于溶液法的MIC(SMIC)工艺来制作多晶硅TFT，在此方法中，通过控制镍的吸附过程，获取尺寸为几十到几百微米的碟状晶粒组成的低镍残留的多晶硅。图I显示通过TMAH腐蚀的SMIC多晶硅薄膜的光学显微镜照片。该方法可以解决因玻璃基板收缩造成的掩膜版对位不准问题。然而，任意分布的晶核导致退火时间较长，使之不能很好的应用于大尺寸的玻璃基板。为了解决这个问题，本申请的申请人之前提出一个以定位成核点解决方案为基础的·金属诱导晶化方法，该方法基于成核点(NS)和补充点(SS)相结合。在诱导晶化过程中，消耗的诱导金属镍通过补充点(SS)提供，而不是成核点(NS)，这样可以减少在成核点(NS)位置的镍的聚集，进而得到诱导金属镍残留不高的区域。图2(a)和2(b)分别示出经TMAH腐蚀后的蜂巢状和单向DG-SMIC低温多晶硅薄膜的光学显微镜照片。如图2所示，外形和尺寸相同的晶粒可以通过设计NS和SS的位置分布来实现；并且，这个方案可以实现精确的控制晶化时间，而且在590°C时的晶化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩膜金属诱导晶化的多晶硅薄膜晶体管的制备方法，包括：连续横向区域的多晶硅薄膜去除镍硅氧化物、纳米二氧化硅层和化学氧化层，以Freckl?e刻蚀液湿刻成有源硅岛，通过低压化学气相沉的方法在425℃下沉积50纳米厚的低温氧化物作为栅极绝缘层；形成栅电极，将硼以4×1015/cm2计量离子注入源极和漏极；以LPCVD的方法沉积500nm的氧化物作为绝缘层并在栅极、源极和漏极区域上开电极接触孔；溅射700纳米厚的含1％Si的铝光刻形成测试电极，在氢气与氮气的合成气体中420℃下烧结30分钟以形成良好的欧姆接触，同时活化掺杂物。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：赵淑云，郭海成，王文，
申请(专利权)人：广东中显科技有限公司，
类型：发明
国别省市：