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本发明提供一种掩膜金属诱导晶化的多晶硅薄膜晶体管的制备方法，包括：连续横向区域的多晶硅薄膜去除镍硅氧化物、纳米二氧化硅层和化学氧化层，以Freckle刻蚀液湿刻成有源硅岛，通过低压化学气相沉的方法在425℃下沉积50纳米厚的低温氧化物作为栅...
该专利属于广东中显科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广东中显科技有限公司授权不得商用。

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