晶体管结构、浅沟槽隔离结构及其制造方法技术
【技术实现步骤摘要】
浅沟槽隔离结构制造方法
本专利技术涉及一种晶体管结构、浅沟槽隔离结构及其制造方法，尤指应用于半导体工艺中的浅沟槽隔离结构及其制造方法。
技术介绍
在同一集成电路芯片上一并完成有低电压逻辑电路与高电压元件的设计已是现今集成电路制作的主流。而不论在低电压逻辑电路或是高电压元件中，都必须制作出隔离元件来进行元件之间的电性隔离。而浅沟槽隔离结构(ShallowTrenchIsolation，简称STI)是目前最常使用的隔离元件，且低电压逻辑电路与高电压元件中的浅沟槽隔离结构通常会于同一工艺中一并完成。但因低电压逻辑电路的元件尺寸随工艺进步而日益缩小，导致浅沟槽隔离结构的宽度与深度也随之小型化，因此若高电压元件中所使用浅沟槽隔离结构的尺寸与低电压逻辑电路中浅沟槽隔离结构的尺寸相同时，可能无法满足高电压元件的设计需求，而如何改善此种已知手段的不足，便是发展本专利技术的主要目的。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的之一是在提供一种浅沟槽隔离结构制造方法，以确保高电压元件的浅沟槽隔离结的绝缘效果。本专利技术的目的之一在于提供一种浅沟槽隔离结构制造方法，方法包括下列步骤：提供基板...
【技术保护点】
一种浅沟槽隔离结构制造方法，该方法包括下列步骤：提供基板，该基板上定义有高电压元件区域；利用第一蚀刻工艺于该高电压元件区域中制作出预处理浅沟槽；利用第二蚀刻工艺将该高电压元件区域中的该预处理浅沟槽继续蚀刻成第一浅沟槽；以及于该第一浅沟槽中填入介电材料而形成第一浅沟槽隔离结构。
【技术特征摘要】
1.一种浅沟槽隔离结构制造方法，该方法包括下列步骤：提供基板，该基板上定义有高电压元件区域；利用第一蚀刻工艺进行零层蚀刻的同时，于该高电压元件区域中制作出预处理浅沟槽；利用第二蚀刻工艺将该高电压元件区域中的该预处理浅沟槽继续蚀刻成第一浅沟槽，其中该第一浅沟槽的开口比该预处理浅沟槽的开口小；将具浅沟槽的硅基板送入高温炉管进行修补工艺，于浅沟槽壁上形成氧化硅修补层；以及于该第一浅沟槽中填入介电材料而形成第一浅沟槽隔离结构，其中该介电材料层，在沟道边缘与沟道中央处距离高电压栅极导体结构的厚度比值，至少大于0.7。2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构制造方法，其中该基板上另定义有低电压元件区域，该第二蚀刻工艺于该低电压元件区域中制作出第二浅沟槽，该第二浅沟槽的深度小于该第一浅沟槽。3.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构制造方法，其中该第一蚀刻工艺制作出的该预处理浅沟槽的开口侧壁的倾斜角范围在105至135度之间，使...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄良安，黄钰钧，林进福，林郁乔，林裕杰，刘信良，郑钧鸿，杨渊丞，许尧凯，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。