鳍式场效应晶体管的制造方法、鳍式场效应晶体管技术

一种鳍式场效应晶体管的制造方法、鳍式场效应晶体管，所述制造方法包括：提供衬底；在衬底上依次形成半导体层、介质层；图形化所述介质层形成第一开口；在所述第一开口的侧壁上形成侧墙，所述侧墙和所述第一开口的底部围成第二开口；去除所述第二开口露出的半导体层直至露出衬底，形成第三开口；向所述第三开口中填充绝缘材料，形成绝缘层；去除介质层，以所述侧墙为掩模去除所述侧墙露出的半导体层，形成鳍部。所述鳍式场效应晶体管包括衬底，位于衬底上的多个鳍部、位于鳍部之间的绝缘层，覆盖于所述鳍部、绝缘层及衬底上的栅极层。本发明专利技术可以减少鳍部损伤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，更具体地，本专利技术涉及一种鳍式场效应晶体管的制造方法、鳍式场效应晶体管。
技术介绍
在半导体超大规模集成电路的发展过程中，晶体管在CMOS器件按比例缩小(scaling)的引导下，密度和性能遵循摩尔定律得到持续化和系统化增长。但是当器件的特征尺寸(Q),Critical Dimension)进一步下降时，即使采用后栅工艺,常规的MOS场效应管的结构也已经无法满足对器件性能的需求，多栅器件作为常规器件的替代得到了广泛的关 注。鳍式场效应晶体管(FinFET)是一种常见的多栅器件，图I示出了现有技术的一种鳍式场效应晶体管的立体结构示意图。如图I所示，包括半导体衬底10，所述半导体衬底10上形成有突出的鳍部101，鳍部101 —般是通过对半导体衬底10刻蚀后得到的；介质层11，覆盖所述半导体衬底10的表面以及鳍部101的侧壁的一部分；栅极层12，横跨在所述鳍部101上，覆盖所述鳍部101的顶部和侧壁，栅极层12包括栅介质层(图中未示出)和位于栅介质层上的栅电极(图中未示出)。对于FinFET，鳍部101的顶部以及两侧的侧壁与栅极层12相接触的部分都成为沟道本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底；在衬底上依次形成半导体层、介质层；图形化所述介质层形成第一开口；在所述第一开口的侧壁上形成侧墙，所述侧墙和所述第一开口的底部围成第二开口；去除所述第二开口露出的半导体层直至露出衬底，形成第三开口；向所述第三开口中填充绝缘材料，形成绝缘层；去除介质层，以所述侧墙为掩模去除所述侧墙露出的半导体层，形成鳍部。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：三重野文健，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：