改进分栅存储器的擦除及编程性能的方法技术

本发明专利技术提供了一种改进分栅存储器的擦除及编程性能的方法。改进分栅存储器的擦除及编程性能的方法包括：叠层形成步骤，用于在衬底上依次形成栅极氧化物层、浮栅多晶硅层和氮化硅层；氮化硅光刻步骤，用于在氮化硅层上布置光刻胶并对光刻胶进行光刻；氮化硅刻蚀步骤，用于对氮化硅层进行刻蚀，从而露出浮栅多晶硅层的分栅存储器的浮栅尖端形成区域及其中间区域；注入步骤，用于以氮化硅层为掩膜对分栅存储器的浮栅尖端形成区域进行倾斜离子注入，从而使浮栅尖端形成区域的多晶硅刻蚀速率大于中间区域的多晶硅；浮栅多晶硅坡度刻蚀步骤，用于对浮栅多晶硅进行各向同性的刻蚀。

【技术实现步骤摘要】
改进分栅存储器的擦除及编程性能的方法
本专利技术涉及半导体制造领域，更具体地说，本专利技术涉及一种改进分栅存储器的擦除及编程性能的方法。
技术介绍
闪存以其便捷，存储密度高，可靠性好等优点成为非挥发性存储器中研究的热点。从二十世纪八十年代第一个闪存产品问世以来，随着技术的发展和各类电子产品对存储的需求，闪存被广泛用于手机，笔记本，掌上电脑和U盘等移动和通讯设备中。闪存为一种非易变性存储器，其运作原理是通过改变晶体管或存储单元的临界电压来控制门极通道的开关以达到存储数据的目的，使存储在存储器中的数据不会因电源中断而消失，而闪存为电可擦除且可编程的只读存储器的一种特殊结构。如今闪存已经占据了非挥发性半导体存储器的大部分市场份额，成为发展最快的非挥发性半导体存储器。一般而言，闪存为分栅结构或堆叠栅结构或两种结构的组合。分栅式闪存由于其特殊的结构，相比堆叠栅闪存在编程和擦除的时候都体现出其独特的性能优势，因此分栅式结构由于具有高的编程效率，字线的结构可以避免“过擦除”等优点，应用尤为广泛。随着电子产品的发展，对存储器擦除及编程性能有着越来越高的要求，从而希望能够提供一种更好地改进分栅存储器的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改进分栅存储器的擦除及编程性能的方法，其特征在于包括：叠层形成步骤，用于在衬底上依次形成栅极氧化物层、浮栅多晶硅层和氮化硅层；氮化硅光刻步骤，用于在氮化硅层上布置光刻胶并对光刻胶进行光刻；氮化硅刻蚀步骤，用于利用光刻后的光刻胶对氮化硅层进行刻蚀，从而露出浮栅多晶硅层的分栅存储器的浮栅尖端形成区域及其中间区域；注入步骤，用于以氮化硅层为掩膜对分栅存储器的浮栅尖端形成区域进行倾斜离子注入，从而使浮栅尖端形成区域的多晶硅刻蚀速率大于中间区域的多晶硅；浮栅多晶硅坡度刻蚀步骤，用于对浮栅多晶硅进行各向同性的刻蚀。

【技术特征摘要】
1.一种改进分栅存储器的擦除及编程性能的方法，其特征在于包括：叠层形成步骤，用于在衬底上依次形成栅极氧化物层、浮栅多晶硅层和氮化硅层；氮化硅光刻步骤，用于在氮化硅层上布置光刻胶并对光刻胶进行光刻；氮化硅刻蚀步骤，用于利用光刻后的光刻胶对氮化硅层进行刻蚀，从而露出浮栅多晶硅层的分栅存储器的浮栅尖端形成区域及其中间区域；注入步骤，用于以氮化硅层为掩膜对分栅存储器的浮栅尖端形成区域进行倾斜离子注入，从而使浮栅尖端形成区域的多晶硅刻蚀速率大于中间区域的多晶硅；浮栅多晶硅坡度刻蚀步骤，用于对浮栅多晶硅进行各向同性的刻蚀。2.根据权利要求1所述的改进分栅存储器的擦除及编程性能的方法，其特征在于还包括：浮栅侧墙淀积步骤，用于沉积浮栅侧墙层；浮栅侧墙刻蚀步骤，用于对浮栅侧墙层进行刻蚀，从而在凹槽的侧壁上形成浮栅侧壁；浮栅侧墙湿法蚀刻步骤，用于对浮栅侧墙进行湿法蚀刻；浮栅多晶硅蚀刻步骤，用于浮栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：李冰寒，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：