存储设备、存储系统、块管理方法、编程和擦除方法技术方案

公开了一种存储设备、存储系统、块管理方法、编程和擦除方法。在一个实施例中，一种方法包括覆写存储m位数据的存储单元以存储n位数据，其中n小于或等于m。当存储m位数据时存储单元具有第一多个编程状态中的一个，而当存储n位数据时存储单元具有第二多个编程状态中的一个。第二多个编程状态包括不在第一多个编程状态中的至少一个编程状态。

【技术实现步骤摘要】

在此描述的专利技术构思涉及一种非易失性存储设备、包括该非易失性存储设备的存储系统、其块管理方法及其编程和擦除方法。
技术介绍
半导体存储设备被分类为易失性的(在下文中，称为易失性存储设备)或者非易失性的(在下文中，称为非易失性存储设备)。非易失性存储设备甚至在断电时也保存其中存储的内容。根据使用的制造技术，非易失性存储设备中的存储单元或者是一次性可编程的或者是再编程的。在计算机、航空电子、无线通信和消费电子工业中，使用非易失性存储设备来存储各种各样的应用中的程序或微代码
技术实现思路
一些示例实施例涉及一种管理存储器的方法。在一个实施例中，该方法包括覆写存储m位数据的存储单元以存储η位数据，其中η小于或等于m。当存储m位数据时该存储单元具有第一多个编程状态中的一个，并且当存储η位数据时该存储单元具有第二多个编程状态中的一个。第二多个编程状态包括不在第一多个编程状态中的至少一个编程状态。在一个实施例中，不在第一多个编程状态中的编程状态具有大于第一多个编程状态的阈值电压分布的阈值电压分布。在一个实施例中，第二多个编程状态包括不在第一多个编程状态中的多于一个的编程状态。在一个实施例中，该方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：覆写存储m位数据的存储单元以存储n位数据，n小于或等于m，当存储m位数据时存储单元具有第一多个编程状态中的一个，而当存储n位数据时存储单元具有第二多个编程状态中的一个，所述第二多个编程状态包括不在第一多个编程状态中的至少一个编程状态。

【技术特征摘要】
2012.01.27 KR 10-2012-0008370;2013.01.22 US 13/741.一种方法，包括: 覆写存储m位数据的存储单元以存储η位数据,η小于或等于m,当存储m位数据时存储单元具有第一多个编程状态中的一个，而当存储η位数据时存储单元具有第二多个编程状态中的一个，所述第二多个编程状态包括不在第一多个编程状态中的至少一个编程状态。2.如权利要求1所述的方法，其中，所述不在第一多个编程状态中的编程状态具有大于第一多个编程状态的阈值电压分布的阈值电压分布。3.如权利要求1所述的方法，其中，所述第二多个编程状态包括不在第一多个编程状态中的多于一个的编程状态。4.如权利要求1所述的方法，还包括: 覆写存储η位数据的存储单元以存储P位数据，P小于或等于η,当存储P位数据时存储单元具有第三多个编程状态，并且所述第三多个编程状态包括不在第一多个编程状态和第二多个编程状态中的至少一个编程状态。5.如权利要求1的方法，其中，存储器包括存储单元，该存储器被划分为存储单元的块，并且该方法还包括: 确定块中的无效块是否可覆写，所述无效块存储无效数据；并且其中 如果所述确定步骤确定无效块是可覆写的，则允许覆写。6.如权利要求5所述的方法，其中，所述确定步骤基于存储器中干净块的数目来确定无效块是可覆写的。7.如权利要求5所述的方法，其中，所述确定步骤基于无效块中空闲页的数目来确定无效块是可覆写的，每一空闲页不存储任何数据。8.如权利要求5所述的方法，其中，所述确定步骤基于无效块的健康状态来确定无效块是可覆写的，所述健康状态指示无效块的损耗级别。9.如权利要求8所述的方法，其中，所述健康状态基于无效块已经经历的编程/擦除循环的数目。10.如权利要求8所述的方法，其中，所述健康状态基于当无效块曾是有效块时读取的数据的误比特率。11.如权利要求5所述的方法，其中，所述确定步骤基于存储器中干净块的数目和无效块的健康状态来确定无效块是可覆写的，所述健康状态指示无效块的损耗级别。12.如权利要求1所述的方法，其中，存储器包括存储单元，该存储器被划分为存储单元的块，每块被划分成页，并且该方法还包括: 确定包括存储单元的无效页是否可覆写，所述无效页存储无效的数据；并且其中 如果所述确定步骤确定包括存储单元的无效页是可覆写的，则允许在该无效页上的覆与。13.如权利要求5所述的方法，还包括: 如果所述确定步骤确定无效块是可覆写的，则存储指示无效块是可覆写的第一指示符。14.如权利要求13所述的方法，还包括: 在覆写之后，存储指示块中的至少一个已经被覆写的第二指示符。15.如权利要求14所述的方法，还包括:在覆写之后，存储指示块中的至少一个自最后一次被擦除起已经被覆写的次数的第三指示符。16.—种存储系统,包括: 存储器，包括至少一个存储串，存储串包括串联连接的多个存储单元，相对于衬底垂直地排列多个存储单元，多个存储单元被划分成至少第一组存储单元和第二组存储单元，第一组存储单元被布置得比第二组存储单元更远离衬底；以及 控制器，被配置为基于第一套阈值电压分布将数据编程到所述多个存储单元中，并且该控制器被配置为基于第二套阈值电压分布来覆写第一组存储单元中的数据，第一组存储单元中的覆写数据的量小于或等于编程数据的量，第二套阈值电压分布包括不在第一套阈值电压分布中的至少一个阈值电压分布。17.如权利要求16所述的存储系统，其中，所述控制器被配置为不覆写第二组中的存储单元。18.如权利要求16所述的存储系统，其中，所述控制器被配置为基于第三套阈值电压分布来覆写第二组存储单元中的数据，第二组存储单元中覆写数据的量小于或等于编程数据的量，第三套阈值电压分布包括不在第一套阈值电压分布中的至少一个阈值电压分布。19.如权利要求18所述的存储系统，其中，第三套阈值电压分布与第二套阈值电压分布不同。20.如权利要求16所述的存储系统，其中，所述控制器被配置为覆写第一组存储单元，以使得至少部分由第一组的至少两个存储单元中的阈值电压分布来表示m位数据。21.如权利要求20所述的存储系统，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴银珠，金宰弘，金钟河，孔骏镇，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：