一种由集成电路组成的半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件的制造方法，包括制造集成电路，并将集成电路封装；其中制造集成电路包括：提供芯片；制造引线支架；固定芯片，引出引线及封装。其中制造引线支架包括：熔融，注入坯模，冷却；将铸坯热轧压延；将热轧带材反复进行冷轧压延和双级连续退火；冷轧压延加工使其厚度变化量达到40％以上，再进行低温退火，得到带材成品，制造过程中控制成分含量Fe2.0～2.6wt％、Ti0.05～0.1wt％、B0.01～0.03wt％、Na0～0.05wt％、Mo0.01～1.5wt％、其余为Cu和杂质。本发明专利技术的铜铁合金合金组织均匀、析出相细小弥散，抗拉强度高、硬度高、电导率高、延伸率高，能较好地满足电子工业领域对引线框架材料性能的诸多要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件的制造方法，尤其涉及一种由具有引线支架的集成电路组成的半导体器件的制造方法。
技术介绍
目前，电子信息产业已经成为我国的一个重要支柱产业，半导体器件作为这个支柱产业的基石，其包括外部封装和内部集成电路；集成电路(IC)包括芯片、引线和引线支架、粘接材料、封装材料等。其中，引线支架的主要功能是为芯片提供机械支撑载体，同时也具有连接外部电路、传送电信号以及散热等功能。因此IC封装需要具备高强度、高导电、高导热性及良好的可焊性、耐蚀性、塑封性、抗氧化性等综合性能。我国引线支架材料的研究、试制、生产起步较晚，引线支架铜带生产规模小、品种规格少，目前只有少数企业可以进行批量生产很少型号的合金，而且存在质量精度差，质量不稳定、软化点低、内应力不均匀、宽度与厚度公差超差、外观要求不合格等问题。目前铜铁合金作为制造引线支架的主要材料，已占到市场总额的80%，合金牌号具有100多种。其中我国生产的C194合金是其中具有代表性的一种。但是，目前生产的C194引线支架铜铁合金的质量还不能满足要求，精度差，品种规格少，性能不稳定，铜带成品率不到50%，在板型状况、残余内应力、表本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，包括制造集成电路，并将集成电路封装，其特征在于，所述制造集成电路包括如下步骤：?（一）提供芯片；?（二）制造引线支架，其中制造引线支架包括如下步骤：?（1）首先将主料及辅料在1250～1350℃熔融后注入坯模，在液相线温度至380℃的温度范围内以80℃/min以上的冷却速度进行冷却，在制造过程中控制合金成分及含量Fe为2.0～2.6wt％、Ti为0.05～0.1wt％、B为0.01～0.03wt％、Na为0～0.05wt％、Mo为0.01～1.5wt％、其余组分为Cu和不可避免的杂质；?（2）将得到的铸坯在1000℃以下的加热温度进行热轧压延，在制造过程中控制成分含量...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：虞浩辉，周宇杭，
申请(专利权)人：江苏威纳德照明科技有限公司，
类型：发明
国别省市：