阵列基板制造方法及阵列基板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板制造方法及阵列基板、显示装置，涉及显示领域，可降低信号线发生断线不良的概率，从而提高产品的良品率，尤其适用于窄线宽的高分辨率产品。本发明专利技术所述阵列基板制造方法，包括：在信号线所在层之上再形成一层修复薄膜，所述修复薄膜为透明导电的掺杂半导体薄膜或者透明绝缘的半导体薄膜；进行转化处理，使第一区域的修复薄膜呈现导电状态，除第一区域之外其余区域的修复薄膜呈现绝缘状态，所述第一区域为对应信号线所在的区域。本发明专利技术所述阵列基板，包括：显示单元和信号线，在信号线所在层之上设置有修复薄膜，且，修复薄膜在第一区域呈现导电状态，在除所述第一区域之外其余区域呈现绝缘状态。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板制造方法及阵列基板、显示装置。
技术介绍
随着人们对显示品质的不断追求，高分辨率已经是显示器发展的大趋势。但随着显示器分辨率的提高，数据线布线的线宽也需要随之减少，这就对制备工艺提出了更高的要求。当显示器分辨率提升至300ppi甚至400ppi、500ppi及以上时，这时需要将数据线的线宽从4um以上降低到2-3um(分辨率300ppi以上的产品称之为窄线宽的高分辨率产品或窄线宽产品)，而目前一般采用湿法刻蚀工艺制备数据线及源漏极，但当数据线线宽减小到2-3um的时候，由于湿法刻蚀的均匀性问题使得数据线易发生断线不良，严重影响产品的良品率。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种阵列基板制造方法及阵列基板、显示装置，可降低信号线发生断线不良的概率，从而提高产品的良品率，尤其适用于窄线宽的高分辨率产品。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案一种阵列基板制造方法，所述阵列基板包括显示单元和向所述显示单元提供显示信号及控制信号的信号线，该方法包括在所述信号线所在层之上再形成一层修复薄膜，所述修复薄膜为透明导电的掺杂半导体薄膜或者透明绝缘的半导体薄膜；进行转化处理，使第一区域的所述修复薄膜呈现导电状态，除所述第一区域之外其余区域的所述修复薄膜呈现绝缘状态，所述第一区域为对应所述信号线所在的区域。可选地，所述修复薄膜为透明导电的掺杂半导体薄膜时，所述进行转化处理，使第一区域的所述修复薄膜呈现导电状态，除所述第一区域之外其余区域的所述修复薄膜呈现绝缘状态，具体包括形成保护层，再利用构图工艺，保留所述第一区域的所述保护层，去除所述第一区域之外其余区域的所述保护层以暴露所述掺杂半导体薄膜；进行转化处理，使除所述第一区域之外其余区域的所述掺杂半导体薄膜转化为绝缘膜。可选地，所述修复薄膜为透明绝缘的半导体薄膜时，所述进行转化处理，使第一区域的所述修复薄膜呈现导电状态，除所述第一区域之外其余区域的所述修复薄膜呈现绝缘状态，具体包括形成保护层，再利用构图工艺，去除所述第一区域的所述保护层以暴露所述半导体薄膜，保留所述第一区域之外其余区域的保护层；进行转化处理，使所述第一区域的所述半导体薄膜转化为导电膜。进一步地，所述的方法，还包括去除剩余的所述保护层。优选地，所述保护层由光刻胶涂覆而成。可选地，采用离子注入或等离子体处理的方法进行转化处理。可选地，所述透明导电的掺杂半导体薄膜为，掺有硼或磷的非晶硅薄膜，或者为，以下任一材料形成的掺杂薄膜ZnO、ZnS、IZO和GaAs。可选地，所述透明绝缘的半导体薄膜为以下任一材料形成的绝缘薄膜非晶硅、 ZnO, ZnS, IZO 和 GaAs0可选地。所述信号线为以下中的任一项或多项数据线、栅线和公共电极线。另一方面，本专利技术还提供一种阵列基板，包括显示单元和向所述显示单元提供显示信号及控制信号的信号线，所述信号线所在层之上设置有修复薄膜，且，所述修复薄膜在第一区域呈现导电状态，在除所述第一区域之外其余区域呈现绝缘状态，所述第一区域为对应所述信号线所在的区域。可选地，所述信号线为以下中的任一项或多项数据线、栅线和公共电极线。本专利技术还提供一种显示装置，设置有所述的任一阵列基板。本专利技术通过在信号线形成以后，再形成一层修复薄膜层，通过曝光形成图案，然后采用离子注入或者等离子体处理或者其他方法进行掺杂，使得信号线以外区域的修复薄膜呈现绝缘状态，而信号线上方的修复薄膜呈现导电状态，即信号线上方存在导电层(导电的修复薄膜)，这样在信号线断线的地方还可通过导电层导通，从而使信号线得以修复，因此本专利技术所述阵列基板制造方法和阵列基板、显示装置，可降低信号线的发生断线不良的概率，提高产品的良品率，尤其适用于窄线宽的高分辨率产品。附图说明图I为本专利技术实施例一中阵列基板制造方法流程图2为本专利技术实施例一中第一种具体实施方式的流程图3(a)为第一种具体实施方式中修复薄膜的结构示意图3(b)为保护层图案的结构示意图3(c)为离子注入或等离子处理的示意图3(d)为离子注入或等离子处理后修复薄膜的结构示意图3(e)为去除保护层后修复薄膜的结构示意图4为本专利技术实施例一中另一具体实施方式示的流程图5为本专利技术实施例一中另一具体实施方式不中阵列基板不意图6为本专利技术实施例二中阵列基板的正视示意图7为图6阵列基板沿B-B方向的剖面结构示意图。附图标记说明10-基板及其它膜层，11-信号线，112-数据线，113-栅线，12-修复薄膜，12a-掺杂半导体薄膜，12b-绝缘半导体薄膜，13-保护层，14-过孔，15-显示单元，16-漏极，17-栅绝缘层，I8-TFT 有源层。具体实施例方式本专利技术实施例提供一种阵列基板制造方法和阵列基板、显示装置，可降低信号线的发生断线不良的概率，提高产品的良品率，尤其适用于窄线宽的高分辨率产品。下面结合附图对本专利技术实施例进行详细描述。此处所描述的具体实施方式仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。 需注意，本专利技术所述方案适用于所有需要在电路板上布线的场景，尤其适用于显示装置中的布线场景，例如LED显示装置和液晶显示装置制造过程中的信号线布设，下面叙述中仅以阵列基板及其制造过程为例进行说明。实施例一本专利技术实施例提供一种阵列基板制造方法，所述的阵列基板包括显示单元和向显示单元提供显示信号及控制信号的信号线，如图I所示，该方法包括101、在信号线所在层之上再形成一层修复薄膜，所述修复薄膜为透明导电的掺杂半导体薄膜或者透明绝缘的半导体薄膜；本步骤中的信号线可以数据线，或者栅线，或者公共电极线，或者其中两种处于同一层的信号线。本步骤在信号线形成以后，再形成一层修复薄膜层，所述修复薄膜层可以是透明导电的掺杂半导体薄膜，例如掺硼B或磷P的非晶硅(a-si)材料，或者掺锡氧化铟(IndiumTin Oxides, ITO)，或者ZnO、ZnS、IZO和GaAs等材料的N型或P型掺杂薄膜；也可以是透明绝缘的半导体薄膜，如Zn0、ZnS、IZ0和GaAs等透明半导体材料形成的绝缘膜。所述形成为沉积、溅射等方式，即沉积形成(或制备)修复薄膜的方式，可以采用物理气相沉积(PVD)方法如蒸发、溅射、离子镀等，也可以采用化学气相沉积形成(CVD)方法，一般根据待沉积的修复薄膜的材料进行选择，本实施例对此不做限制。102、进行转化处理，使第一区域的修复薄膜呈现导电状态，除第一区域之外其余区域的修复薄膜呈现绝缘状态，所述第一区域为对应信号线所在的区域。本步骤中所述的转化处理，是指对特定区域的修复薄膜进行掺杂或使其发生化学反应，使得该区域修复薄膜的导电性质发生转变，结果使修复薄膜在信号线上方(第一区域)呈现导电状态，其余区域呈现绝缘状态。具体地，若步骤101中形成的修复薄膜为掺杂的半导体薄膜，本身已是导电薄膜，则本步骤中对第一区域之外的掺杂半导体薄膜进行中和掺杂或使其发生化学反应，将除第一区域之外的掺杂半导体薄膜转化为绝缘膜，而信号线上方(第一区域)不进行转化处理，仍然保持为导电薄膜。若掺杂半导体薄膜中导电的多子为电子，则中和掺杂处理中引入空穴；反之，若掺杂半导体薄膜中导电的多子为空穴，则中和掺杂处理中引入电子，最终结果空穴和电子同时存在，发生中和效应，恢复本征态，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板制造方法，所述阵列基板包括：显示单元和向所述显示单元提供显示信号及控制信号的信号线，其特征在于，该方法包括：在所述信号线所在层之上再形成一层修复薄膜，所述修复薄膜为透明导电的掺杂半导体薄膜或者透明绝缘的半导体薄膜；进行转化处理，使第一区域的所述修复薄膜呈现导电状态，除所述第一区域之外其余区域的所述修复薄膜呈现绝缘状态，所述第一区域为对应所述信号线所在的区域。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曹占锋，戴天明，姚琪，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：