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本发明提供了一种改进分栅存储器的擦除及编程性能的方法。改进分栅存储器的擦除及编程性能的方法包括：叠层形成步骤，用于在衬底上依次形成栅极氧化物层、浮栅多晶硅层和氮化硅层；氮化硅光刻步骤，用于在氮化硅层上布置光刻胶并对光刻胶进行光刻；氮化硅刻蚀...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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