半导体器件制造技术

公开了一种半导体器件，其中W3≥((k2·(Dτ)1/2)2-L12)^(1/2)；W2≥L1/K1/2（其中K≥2.5）；并且W2-W1≥10μm，其中L1是漂移层（1）的厚度，D是载流子扩散系数；τ是寿命，k1是基于IGBT（100）和FWD（200）的第一参数；k2是基于阱层（13）的第二参数；并且K是通过将k1乘以骤回电压与所述阱层和所述漂移层之间的内建电势的比而得到的值。W1是从所述阱层的外围端部投影在所述漂移层的背面上的位置到阴极区域（3）与集电极区域（2）之间的边界的距离；W2是从基极区域（4）之中的IGBT与FWD之间的边界到所述阱层的外围端部的距离；并且W3是从所述阱层与所述基极区域之间的边界投影在所述背面上的位置到所述阴极区域与所述集电极区域之间的边界的距离。从而随着当阱层是阳极时来自阱层的空穴注入增大，有可能减轻FWD的耐量的恶化，同时还通过使来自与阱层内的单元区域的边界邻近的区域的空穴到达来减轻本质上起阳极作用的区域的减小。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体器件，其具有集成为一块芯片的用作开关元件的绝缘栅双极型晶体管(以下简称为IGBT)和续流二极管(以下简称为FWD)。
技术介绍
在过去，具有集成为一块芯片的用作开关元件的IGBT和FWD的半导体器件用于执行直流-交流电流转换的逆变器电路等。通过导通和关断IGBT来执行直流-交流电流转换。此外，当IGBT关断时,流入负载(例如，电机)的电流通过FWD环流(circulate)。在用于这种半导体器件中的FWD中，正向电流If相对于正向电压Vf的特性(以下简称为Vf-If特性)在IGBT保持关断时是线性的。然而，由于骤回(snapback)电压效应，Vf-If特性在IGBT导通时具有非线性域。图6是示出FWD的Vf-If特性的示意图。如图6中所示，与IGBT关断时相比，当IGBT导通时，正向电压Vf产生波动。此外，存成产生骤回电压的域。因此，没有达到线性度。具体而言，假设半导体器件具有形成在一块芯片中的IGBT和FWD，如图7中所示，可以示出当IGBT导通时所获得的等效电路。S卩，IGBT100的沟道电阻器Ra和从沟道到FWD200的pn结(P型深阱层13的下部)本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：田边广光，河野宪司，都筑幸夫，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：
国别省市：