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公开了一种半导体器件，其中W3≥((k2·(Dτ)1/2)2-L12)^(1/2)；W2≥L1/K1/2（其中K≥2.5）；并且W2-W1≥10μm，其中L1是漂移层（1）的厚度，D是载流子扩散系数；τ是寿命，k1是基于IGBT（100）和...
该专利属于株式会社电装所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社电装授权不得商用。

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