一种方形扁平无引脚封装焊片的方法技术

本发明专利技术涉及半导体加工技术领域，特别是涉及一种方形扁平无引脚封装焊片的方法，其步骤依次包括1）锡线焊片；2）晶片焊线；3）导线框架贴膜；4）塑封成型，通过使用锡线来焊接晶片，与现有技术相比，减少了制作步骤,从而缩短了产品制作周期；锡线的成本比银胶或锡膏的成本低，并且锡线在散热和导电性能上比银胶或锡膏更优越，因此，本发明专利技术由于缩短晶片焊接的周期从而提高生产效率，还可降低制作成本，提高产品性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体加工
，特别是涉及。
技术介绍
半导体器件在封装之前，是将晶片焊接于导线框架的焊片区，导线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用导线框架。 现有技术中，将晶片焊接于导线框架的焊盘区，大多采用银胶或者锡膏，采用银胶或者锡膏焊接晶片的步骤一般包括I、导线框架贴膜在导线框架背面贴一张胶膜，来克服塑封成型时散热板区域被溢出的胶体影响散热的问题；2、银胶(或锡膏)焊片在室温25。C左右进行点胶，然后进行固晶作业；3、银胶(或锡膏)烘烤在175° C的高温烤箱内固化3小时；4、晶片焊线在220° C的轨道温度下进行超声波焊接，使晶片与导线框架连接线路导通；5、塑封成型塑封料在175° C的温度下熔化，透过模具闭合挤压，使塑封料灌入型腔，把晶片与导线框架的功能区域灌封，从而保护产品不受破坏和氧化。现有技术的焊接晶片的步骤比较繁琐、由于制程时间长而导致生产效率低，该制程使用银胶或者锡膏的成本也较高、性能一般。
技术实现思路
本专利技术的目的在于避免现有技术中的不足之处而提供，该方形扁平无引脚封装焊片的方法由于缩短晶片焊接的周期从而提高生产效率，还可降低制作成本，提高产品性能。本专利技术的目的通过以下技术方案实现。提供，包括以下依次进行的步骤 I)锡线焊片；2)晶片焊线；3)导线框架贴膜；4)塑封成型。优选的，步骤I)的锡线焊片，具体步骤如下 导线框架的焊片区放入锡线后，被自动送入轨道的高温区预热至锡线被熔化为液态锡时，然后利用压膜头根据晶片的尺寸将液态锡压膜成型，接着导线框架被输送至轨道的固晶区进行吸晶片固晶，固晶完成后导线框架被输送至轨道的冷却区进行冷却，最后经过轨道的室温区被送至料盒出料。更优选的，步骤I)中锡线的用量根据晶片尺寸来决定，在线径为O. 5mm的锡线条件下，晶片尺寸为Ixlmm时锡线用量为lmm，晶片尺寸为2x2mm时锡线用量为2. 3mm,晶片尺寸为3x3mm时锡线用量为3. Imm,晶片尺寸为4x4mm时锡线用量为5mm,晶片尺寸为5x5mm时用量为6mm。另一优选的，轨道的高温区的温度变化为轨道长度每隔100± 10mm，轨道温度变化依次为 300±10° C，360±10° C，360±10° C，370±10° C，375±10° C。更优选的，锡线在375±10° C的温度时在导线框架上熔化成液态。另一优选的,压膜头的温度为420±30° C。另一优选的， 轨道的固晶区的温度为375±10° C。另一优选的,轨道的冷却区的温度为先360± 10° C,后290±10° C,两个温度设在轨道长度相隔为100± IOmm处。另一优选的，轨道的室温区为供应氮气惰性气体的密闭装置。另一优选的，步骤3)的导线框架贴膜，具体为在导线框架背面贴一张胶膜。本专利技术的有益效果如下 本专利技术通过使用锡线来焊接晶片，与现有技术相比，减少了制作步骤，从而缩短了产品制作周期；锡线的成本比银胶或锡膏的成本低，并且锡线在散热和导电性能上比银胶或锡膏更优越，因此，本专利技术由于缩短晶片焊接的周期从而提高生产效率，还可降低制作成本，提闻广品性能。具体实施例方式结合以下实施例对本专利技术作进一步说明。本实施例的，包括以下依次进行的步骤 I)锡线焊片；2)晶片焊线；3)导线框架贴膜；4)塑封成型。本专利技术通过使用锡线来焊接晶片，与现有技术相比，减少了制作步骤，从而缩短了产品制作周期；锡线的成本比银胶或锡膏的成本低，并且锡线在散热和导电性能上比银胶或锡膏更优越，因此，本专利技术由于缩短晶片焊接的周期从而提高生产效率，还可降低制作成本，提闻广品性能。具体的，步骤I)的锡线焊片，具体步骤如下 导线框架的焊片区放入锡线后，被自动送入轨道的高温区预热至锡线被熔化为液态锡时，然后利用压膜头根据晶片的尺寸将液态锡压膜成型，接着导线框架被输送至轨道的固晶区进行吸晶片固晶，固晶完成后导线框架被输送至轨道的冷却区进行冷却，最后经过轨道的室温区被送至料盒出料。具体的，步骤I)中锡线的用量根据晶片尺寸来决定，在线径为O. 5mm的锡线条件下，晶片尺寸为Ixlmm时锡线用量为lmm，晶片尺寸为2x2mm时锡线用量为2. 3mm,晶片尺寸为3x3mm时锡线用量为3. Imm,晶片尺寸为4x4mm时锡线用量为5mm,晶片尺寸为5x5mm时用量为6mm。具体的，轨道高温区的温度变化为轨道长度每隔100± 10mm，轨道温度变化依次为 300±10° C，360±10° C，360±10° C，370±10° C，375±10° C。具体的，锡线在375±10° C的温度时在导线框架上熔化成液态。具体的，压膜头的温度为420±30° C。具体的，轨道的固晶区的温度为375±10° C。具体的，轨道的冷却区的温度为先360±10° C，后290±10° C，两个温度设在轨道长度相隔为100± IOmm处。具体的，轨道的室温区为供应氮气惰性气体的密闭装置。可防止产品氧化。具体的，步骤3)的导线框架贴膜，具体为在导线框架背面贴一张胶膜。现有技术是先在导线框架贴膜，来克服塑封成型时散热板区域溢胶而影响散热，本专利技术的贴膜制程选择在焊线后完成是避免胶膜在锡线焊片制程因为轨道温度过高造成胶膜无法承受而导致胶膜粘度下降，达不到防止溢胶作用。胶膜最大承受温度为220° C。本专利技术的2)晶片焊线和4)塑封成型两个制程与现有技术相同，在此不再赘述。最后应当说明的是，以上实施例仅用于说明本专利技术的技术方案而非对本专利技术保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本专利技术作了详细说明，本领域的普通技术人员应当理 解，可以对本专利技术的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本专利技术技术方案的实质和范围。权利要求1.，其特征在于包括以下依次进行的步骤 I)锡线焊片；2)晶片焊线；3)导线框架贴膜；4)塑封成型。2.根据权利要求I所述的，其特征在于步骤I)的锡线焊片，具体步骤如下 导线框架的焊片区放入锡线后，被自动送入轨道的高温区预热至锡线被熔化为液态锡时，然后利用压膜头根据晶片的尺寸将液态锡压膜成型，接着导线框架被输送至轨道的固晶区进行吸晶片固晶，固晶完成后导线框架被输送至轨道的冷却区进行冷却，最后经过轨道的室温区被送至料盒出料。3.根据权利要求2所述的，其特征在于步骤I)中锡线的用量根据晶片尺寸来决定，具体为在线径为O. 5mm的锡线条件下，晶片尺寸为Ixlmm时,锡线用量为Imm,晶片尺寸为2x2mm时锡线用量为2. 3mm,晶片尺寸为3x3mm时锡线用量为3. Imm,晶片尺寸为4x4mm时锡线用量为5mm,晶片尺寸为5x5mm时用量为6mm。4.根据权利要求2所述的，其特征在于轨道的高温区的温度变化为轨道长度每隔100± 10mm，轨道温度变化依次为300±10° C，360±10° C，360±10° C，370±10° C，375±10° C。5.根据权利要求4所述的，其特征在于锡线在375±10° C的温度时在导线框架上熔化成液态。6.根据权利要求2所述的，其特征在于压膜头的温度为420±30° C。7.根据本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方形扁平无引脚封装焊片的方法，其特征在于：包括以下依次进行的步骤：？？？？？？1）锡线焊片；2）晶片焊线；3）导线框架贴膜；4）塑封成型。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：韩福彬，
申请(专利权)人：杰群电子科技东莞有限公司，
类型：发明
国别省市：