本发明专利技术涉及一种基于框架的无载体式封装件的制作工艺，属于集成电路封装技术领域。本发明专利技术依次经过晶圆减薄、划片、上芯、做金属凸点、压焊、塑封、去除框架、切割处理；采用普通框架即可进行产品制作流程，无需过多加工框架载体，缩短设计及制作周期，降低成本；在凸点排布及I/O数不受框架设计及制作限制，实现了凸点排布可任意定义，更好得实现芯片与载体的互联；使I/O更加密集，成本更低。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种基于框架的无载体式封装件的制作工艺，属于集成电路封装
技术介绍
QFN(四面扁平无引脚封装)及DFN(双扁平无引脚封装)封装是在近几年随着通讯及便携式小型数码电子产品的产生(数码相机、手机、PC、MP3)而发展起来的、适用于高频、宽带、低噪声、高导热、小体积，高速度等电性要求的中小规模集成电路的封装。我们知道QFN/DFN封装有效地利用了引线脚的封装空间，从而大幅度地提高了封装效率。该封装由于引线短小、塑封体尺寸小、封装体薄，可以使CPU体积缩小30% -50%。所以它能提供卓越的电性能，同时还提供了出色的散热性能。 普通的QFN/DFN封装主要存在以下不足框架载体的QFN/DFN产品需要根据芯片尺寸及电路连通设计框架图形，再用腐蚀等方法将框架加工成设计好的图形，设计及制作周期长，成本比较高。并且目前的QFN/DFN系列封装件在凸点的排布以及I/O的密集程度上也由于框架设计及框架制造工艺而有所限制。
技术实现思路
为了克服上述现有技术存在的问题，本专利技术提供一种基于框架的无载体式封装件 的制作工艺，采用普通框架即可进行产品制作流程，无需过多加工框架载体，缩短设计及制作周期，降低成本；在凸点排布及I/O数不受框架设计及制作限制，实现了凸点排布可任意定义，更好得实现芯片与载体的互联；使I/o更加密集，成本更低。为了实现上述目的，本专利技术采用的技术方案一种基于框架的无载体式封装件的制作工艺流程如下I、减薄；根据实际需要对晶圆厚度进行减薄处理；2、划片；厚度在150μπι以上的晶圆，采用普通QFN划片工艺，厚度在150μπι以下的晶圆，采用双刀划片机及其工艺；3、上芯；采用粘片胶上芯；4、做金属凸点；用植球的方法在框架载体上制作金属凸点；5、压焊；在芯片和金属凸点、金属凸点之间打键合线；6、塑封；7、去除框架载体；产品塑封后用腐蚀或者磨屑的方法将框架载体去除；8、切割。所述的3、5、6、8步采用常规的QFN/DFN工艺。本专利技术的有益效果采用普通框架即可进行产品制作流程，无需过多加工框架载体，缩短设计及制作周期，降低成本；在凸点排布及I/o数不受框架设计及制作限制，实现了凸点排布可任意定义，更好得实现芯片与载体的互联；使I/o更加密集，成本更低。附图说明图I本专利技术制成的单圈广品成品首I]面2本专利技术制成的多圈广品成品首I]面中1-引线框架、2-粘片胶、3-芯片、4-金属凸点A、5_键合线、6-塑封体、7-金属凸点B。具体实施例方式下面结合附图和实施例对本专利技术做进一步说明，以方便技术人员理解。一种基于框架的无载体式封装件的制作工艺流程如下I、减薄；根据实际需要对晶圆厚度进行减薄处理； 2、划片；厚度在150μπι以上的晶圆，采用普通QFN划片工艺，厚度在150μπι以下的晶圆，采用双刀划片机及其工艺；3、上芯；采用粘片胶上芯；4、做金属凸点；用植球的方法在框架载体上制作金属凸点；5、压焊；在芯片和金属凸点、金属凸点之间打键合线；6、塑封；7、去除框架载体；产品塑封后用腐蚀或者磨屑的方法将框架载体去除；8、切割。所述的3、5、6、8步采用常规的QFN/DFN工艺。实施例I制作单圈封装件一种基于框架的无载体式封装件的制作工艺流程如下I、减薄；根据实际需要对晶圆厚度进行减薄处理；2、划片；厚度在150 μ m以上的晶圆，采用普通QFN划片工艺，3、上芯；采用粘片胶2上芯；4、做金属凸点A4 ;用植球的方法在框架载体上制作金属凸点A4 ；5、压焊；在芯片3和金属凸点A4之间打键合线5 ；6、塑封；7、去除框架载体I ;产品塑封后用腐蚀的方法将框架载体I去除；8、切割。所述的3、5、6、8步采用常规的QFN/DFN工艺。如图I所示制作的单圈封装件包括引线框架I、粘片胶2、芯片3、金属凸点A4、键合线5、塑封体6 ;其中芯片3与引线框架I通过粘片胶2相连，键合线5直接从芯片3打到金属凸点A4上，引线框架I上是粘片胶2，粘片胶2上是芯片3，芯片3上的焊点与金属凸点A4间的焊线是键合线5，塑封体6包围了引线框架I、粘片胶2、芯片3、金属凸点A4、键合线5构成了电路的整体，塑封体6对芯片3和金属凸点A4的键合线5起到了支撑和保护作用，芯片3、金属凸点A4、键合线5、引线框架I构成了电路的电源和信号通道。实施例2制作多圈封装件一种基于框架的无载体式封装件的制作工艺流程如下I、减薄；根据实际需要对晶圆厚度进行减薄处理；2、划片；厚度在150 μ m以下的晶圆，采用双刀划片机及其工艺；3、上芯；采用粘片胶2上芯；4、做金属凸点A4、金属凸点B7 ;用植球的方法在框架载体上制作金属凸点A4、金属凸点B7 ；5、压焊；在芯片和金属凸点A4、金属凸点A4和金属凸点B7之间打键合线5 ；6、塑封；7、去除框架载体I ;产品塑封后用磨屑的方法将框架载体I去除； 8、切割。所述的3、5、6、8步采用常规的QFN/DFN工艺。如图2所示制作的无载体式多圈封装件包括引线框架I、粘片胶2、芯片3、金属凸点A4、键合线5、塑封体6、金属凸点B7 ;其中芯片3与引线框架I通过粘片胶2相连，键合线5直接从芯片3打到金属凸点A4和金属凸点B7上，引线框架I上是粘片胶2，粘片胶2上是芯片3，芯片3上的焊点与金属凸点A4、金属凸点B7间的焊线是键合线5，塑封体6包围了引线框架I、粘片胶2、芯片3、金属凸点A4、金属凸点B7、键合线5构成了电路的整体，塑封体6对芯片3和金属凸点A4、金属凸点B7的键合线5起到了支撑和保护作用，芯片3、金属凸点A4、金属凸点B7、键合线5、引线框架I构成了电路的电源和信号通道。本专利技术通过附图进行说明的，在不脱离本专利技术范围的情况下，还可以对本专利技术专利进行各种变换及等同代替，因此，本专利技术专利不局限于所公开的具体实施过程，而应当包括落入本专利技术专利权利要求范围内的全部实施方案。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种基于框架的无载体式封装件的制作工艺，其特征在于：一种基于框架的无载体式封装件的制作工艺流程如下：(1)、减薄；根据实际需要对晶圆厚度进行减薄处理；(2)、划片；厚度在150μm以上的晶圆，采用普通QFN划片工艺，厚度在150μm以下的晶圆，采用双刀划片机及其工艺；(3)、上芯；采用粘片胶上芯；(4)、做金属凸点；用植球的方法在框架载体上制作金属凸点；(5)、压焊；在芯片和金属凸点、金属凸点之间打键合线；(6)、塑封；(7)、去除框架载体；产品塑封后用腐蚀或者磨屑的方法将框架载体去除；(8)、切割。
【技术特征摘要】
1.一种基于框架的无载体式封装件的制作工艺，其特征在于一种基于框架的无载体式封装件的制作工艺流程如下 (I)、减薄；根据实际需要对晶圆厚度进行减薄处理； ⑵、划片；厚度在150 μ m以上的晶圆，采用普通QFN划片工艺，厚度在150 μ m以下的晶圆，采用双刀划片机及其工艺； (3)、上芯；采用粘片胶上芯； (4)、做金属凸点；用植球...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙青秀，
申请(专利权)人：孙青秀，
类型：发明
国别省市：
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