本实用新型专利技术公开了一种利用隔离金属层防止镀银层熔化的封装件，包括有芯片、塑封体和镀银层，所述镀银层为相互独立的镀银层段，所述镀银层与中间金属层连接，中间金属层再与另一层镀银层连接。所述中间金属层，是为了隔离镀银层和另一层镀银层的。本专利实现塑封体与镀银层良好结合的同时，隔离金属将两层银合理隔开，解决了SMT时焊料将银层共晶熔化的问题。
【技术实现步骤摘要】
本技术属于集成电路封装
，具体涉及一种利用隔离金属层防止镀银层熔化的封装件。
技术介绍
目前，封装件的制作中，在凸点排布及I/O数不受框架设计及制作限制的前提下，一般通过电镀银之后倒装上芯的方法，可以实现框架图形设计可在框架制作时期就完成，这样缩短了制作周期，更好得实现芯片与载体的互联，丙炔使I/o更加密集，成本更低。现有公开的技术中，一种基于框架采用镀银技术的封装件(专利号:201320335457.9)和一种基于框架采用键合线连接技术的封装件(专利号:201320335198.X)，是镀银技术的两个案例。但是，在封装件镀银层之后，在焊接时候会出现焊料熔化银层的问题。
技术实现思路
为了克服上述现有技术存在的问题，本技术提供了一种利用隔离金属层防止镀银层熔化的封装件，其通过设置中间金属层隔离镀银层，防止焊接时焊料将银层熔化。一种利用隔离金属层防止镀银层熔化的封装件，包括有芯片、塑封体和镀银层，所述镀银层为相互独立的镀银层段，所述镀银层与中间金属层连接，中间金属层再与另一层镀银层连接。所述中间金属层，是为了隔离镀银层和另一层镀银层的，解决了焊接时焊料将银层共晶熔化的问题。【附图说明】图1为采用键合线连接技术的封装件剖面图；图2为采用金属凸点技术的封装件剖面图；图3为带有中间金属层的采用键合线连接技术的封装件剖面图；图4为带有中间金属层的采用金属凸点技术的封装件剖面图。图中，I为芯片、2为键合线、3为塑封体、4为镀银层，5为金属凸点、6为中间金属层、41为另一层镀银层。【具体实施方式】下面结合附图对本技术做进一步的说明。实施例一:如图1所示，一种采用键合线连接技术的封装件包括有芯片1、键合线2、塑封体3和镀银层4，所述镀银层4为相互独立的镀银层段，部分镀银层4上有芯片I，所述芯片I和其上无芯片I的部分镀银层4通过键合线2连接，塑封体3包围了芯片1、键合线2和镀银层4，芯片1、键合线2和镀银层4构成了电路的电源和信号通道。如图3所示，所述镀银层4与中间金属层6连接，中间金属层6再与另一层镀银层41连接。图3中，所述镀银层4为0.1-1Oum;所述另一层镀银层41为0.l_10um，或者用0.0l-1Oum的惰性金属层替代。所述中间金属层6为铜、镍、镍钯金、铜镍铜或者不能被SMT熔化的其他金属，是为了隔离镀银层4和另一层镀银层41的。本专利实现塑封体与镀银层良好结合的同时，隔离金属将两层银合理隔开，解决了 SMT时焊料将银层共晶熔化的问题。实施例二:如图2所示，一种采用金属凸点技术的封装件，所述封装件包括有芯片1、塑封体3、镀银层4和金属凸点5 ;所述镀银层4为相互独立的镀银层段，所述芯片I上植有金属凸点5，所述金属凸点5与镀银层4连接；所述塑封体4包围了芯片1、镀银层4和金属凸点5，芯片1、镀银层4和金属凸点5构成了电路的电源和信号通道。如图4所示，所述镀银层4与中间金属层6连接，中间金属层6再与另一层镀银层41连接。图4中，所述镀银层4为0.1-1Oum;所述另一层镀银层41为0.l-10um，或者用0.0l-1Oumd的惰性金属层替代。所述中间金属层6为铜、镲、镲钮金、铜镲铜或者不能被SMT熔化的其他金属，是为了隔离镀银层4和另一层镀银层41的。本专利实现塑封体与镀银层良好结合的同时，隔离金属将两层银合理隔开，解决了 SMT时焊料将银层共晶熔化的问题。【主权项】1.一种利用隔离金属层防止镀银层熔化的封装件，包括有芯片(I)、塑封体(3)和镀银层(4)，所述镀银层(4)为相互独立的镀银层段，其特征在于:所述镀银层(4)与中间金属层(6)连接，中间金属层(6)再与另一层镀银层(41)连接。2.根据权利要求1所述的一种利用隔离金属层防止镀银层熔化的封装件，其特征在于:中间金属层(6)为铜、镍、镍钯金、铜镍铜或者不能被SMT熔化的其他金属。【专利摘要】本技术公开了一种利用隔离金属层防止镀银层熔化的封装件，包括有芯片、塑封体和镀银层，所述镀银层为相互独立的镀银层段，所述镀银层与中间金属层连接，中间金属层再与另一层镀银层连接。所述中间金属层，是为了隔离镀银层和另一层镀银层的。本专利实现塑封体与镀银层良好结合的同时，隔离金属将两层银合理隔开，解决了SMT时焊料将银层共晶熔化的问题。【IPC分类】H01L23-495【公开号】CN204332944【申请号】CN201420845961【专利技术人】孙青秀 【申请人】孙青秀【公开日】2015年5月13日【申请日】2014年12月26日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种利用隔离金属层防止镀银层熔化的封装件，包括有芯片(1)、塑封体(3)和镀银层(4)，所述镀银层(4)为相互独立的镀银层段，其特征在于：所述镀银层(4)与中间金属层(6)连接，中间金属层(6)再与另一层镀银层(41)连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孙青秀，
申请(专利权)人：孙青秀，
类型：新型
国别省市：陕西;61
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