一种IC封装制造技术

本实用新型专利技术公开了一种IC封装，将经过磨片、划片以及装片后的引线框架从内到外依次镀上镍层、钯层和金层，之后再键合、塑封、激光打印、切筋并测试最终得到合格的IC封装。使用这种方法后产品的引脚更光滑，更耐磨，产品颜色一致性更好，深受国内外客户喜爱。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子元器件封装
，特别是涉及一种塑封后可省去电镀工艺的IC封装。
技术介绍
目前IC封装普遍采用的工艺是:磨片一划片一装片一键合一塑封一电镀一激光打印一切筋一测试一包装，引脚部位裸铜，塑封完后需再镀锡，这种方法生成的IC封装存在以下缺点:(I)封装生产周期较长；(2 )成本过高，封装后再电镀价格较高；(3 )镀锡过程中容易混料，即是不同功能的IC混在一起，从而导致产品不能使用。并且，这种IC封装引脚不够光滑，不够耐磨，产品颜色一致性不是太好，不美观。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中存在的问题而设计的一种IC封装，在经过前述装片工艺键步骤后成型的的铜引线框架上依次镀上镍层、钯层和金层。这种结构产品的引脚更光滑，更耐磨，产品颜色一致性更好，深受国内外客户喜爱。本技术所要求解决的技术问题可以通过以下技术方案来实现:一种IC封装，包括引线封装，所述引线封装从内到外依次覆盖镍层、钯层和金层。所述镍层厚度为0.2-0.35微米。所述钯层厚度为0.2-0.35微米。所述金层厚度为0.03-0.06微米。由于采用了如上技术方案，本技术具有如下特点:产品的弓I脚更光滑，更耐磨，产品颜色一致性更好，深受国内外客户喜爱。【附图说明】图1为本技术部分结构示意图。【具体实施方式】为了使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本技术。如图1所示，本技术包括引线封装1.经过磨片、划片和装片工艺后得到引线封装I，接着在整个引线框架I全部先镀上0.2-0.35微米镍层2，再镀上一层0.2-0.35微米耙层，最后镀上一层0.03-0.06微米金层，之后再塑封、激光打印、切筋、测试，得到合格的IC封装。这种结构产品的引脚更光滑，更耐磨，产品颜色一致性更好，深受国内外客户喜爱。在封装过程中需要采取以下措施保护镀层:一是在键合时降低压板的高度，使上压板刚好贴近下压板，不能太紧；二是在键合在上压板开窗处逐个贴高温胶布，；三是在塑封时降低塑封合模压力，从135平方厘米/千克降到90平方厘米/千克；四是在塑封时降低转进速度，从6毫米/秒降到3毫米/秒。以上显示和描述了本技术的基本原理、主要特征和本技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本技术的原理，在不脱离本技术精神和范围的前提下本技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本技术范围内。本技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。【主权项】1.一种IC封装，包括引线框架，其特征在于，所述引线框架从内到外依次覆盖镍层、钯层和金层。2.如权利要求1所述的一种IC封装，其特征在于，所述镍层厚度为0.2-0.35微米。3.如权利要求1所述的一种IC封装，其特征在于，所述钯层厚度为0.2-0.35微米。4.如权利要求1所述的一种IC封装，其特征在于，所述金层厚度为0.03-0.06微米。【专利摘要】本技术公开了一种IC封装，将经过磨片、划片以及装片后的引线框架从内到外依次镀上镍层、钯层和金层，之后再键合、塑封、激光打印、切筋并测试最终得到合格的IC封装。使用这种方法后产品的引脚更光滑，更耐磨，产品颜色一致性更好，深受国内外客户喜爱。【IPC分类】H01L23-495【公开号】CN204315567【申请号】CN201520036569【专利技术人】廖红伟, 朱辉兵 【申请人】武汉芯茂半导体科技有限公司【公开日】2015年5月6日【申请日】2015年1月20日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种IC封装，包括引线框架，其特征在于，所述引线框架从内到外依次覆盖镍层、钯层和金层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：廖红伟，朱辉兵，
申请(专利权)人：武汉芯茂半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42