一种低热阻的晶圆级LED封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低热阻的晶圆级LED封装结构，属于半导体封装技术领域。其在硅基本体（1）的正面通过金属凸块（42）设置倒装的LED芯片（4），背面设置由导电电极（21）和散热体（22）构成的热电分离电极组件，散热体（22）设置于LED芯片（4）的正下方，而硅通孔（11）设置于LED芯片（4）的垂直区域之外，芯片电极（41）经硅通孔（11）通过金属布线反射层（3）与导电电极（21）实现电气连通。本实用新型专利技术通过设计有利于LED芯片散热的倒装封装基板和热电分离电极组件，显著降低了LED封装结构的热阻，提升了LED芯片到封装体外的散热性能。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种低热阻的晶圆级LED封装结构，属于半导体封装
。其在硅基本体（1）的正面通过金属凸块（42）设置倒装的LED芯片（4），背面设置由导电电极（21）和散热体（22）构成的热电分离电极组件，散热体（22）设置于LED芯片（4）的正下方，而硅通孔（11）设置于LED芯片（4）的垂直区域之外，芯片电极（41）经硅通孔（11）通过金属布线反射层（3）与导电电极（21）实现电气连通。本技术通过设计有利于LED芯片散热的倒装封装基板和热电分离电极组件，显著降低了LED封装结构的热阻，提升了LED芯片到封装体外的散热性能。【专利说明】—种低热阻的晶圆级LED封装结构
本技术涉及一种低热阻的晶圆级LED封装结构，属于半导体封装
。
技术介绍
大功率LED在照明、汽车电子、显示等领域有诸多应用，但大功率LED产品在实际应用中最为关注的是产品寿命与发光效率，即单位功率的流明数。影响LED产品寿命与发光效率的主要因素除芯片本身外，主要在于封装结构的设计，尤其是LED芯片发光面产生的热(约占输入功率的25%)如何通过封装结构传出封装体外，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低热阻的晶圆级LED封装结构，其包括硅基本体（1）和LED芯片（4），所述硅基本体（1）的下表面设置绝缘层Ⅱ（13），所述硅基本体（1）的正面设置若干个贯穿硅基本体（1）的硅通孔（11），所述硅通孔（11）的内壁和硅基本体（1）的上表面设置绝缘层Ⅰ（12），并于硅通孔（11）的下端口形成绝缘层Ⅰ开口（121），所述LED芯片（4）带有若干个芯片电极（41），所述LED芯片（4） 倒装于硅基本体（1）的正面， 其特征在于：所述硅通孔（11）设置于LED芯片（4）的垂直区域之外，且其上端口不小于其下端口，所述绝缘层Ⅰ（12）的表面设置金属布线反射层（3）并于LED芯片（4）的垂直区域之内设置若...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张黎，赖志明，陈栋，陈锦辉，
申请(专利权)人：江阴长电先进封装有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32