【技术实现步骤摘要】
本技术涉及集成电路，尤其涉及一种用于改善电镀效果的结构。
技术介绍
1、在半导体封装工艺中，需要通过电镀制程在晶圆上形成导电凸块或者焊球等导电连接结构。在电镀制程中，在晶圆的表面形成金属材料层和覆盖金属材料层的光阻层之后，需要对晶圆边缘位置(即洗边区域)的所述光阻层进行处理，例如通过洗边工艺和曝光工艺，除去晶圆边缘位置的所述光阻层，暴露位于所述晶圆边缘位置的所述金属材料层，使得电镀电极能够与所述金属材料层电接触。在电镀过程中，还需要在所述光阻层的边缘位置通过密封圈密封，以防止电镀过程中的电镀液渗透到暴露的所述金属材料层上。但是，由于曝光机台本身精度的限制，在去除晶圆边缘位置的所述光阻层，极易在剩余的所述光阻层毗邻所述洗边区域的一侧形成光刻图形。在电镀制程中，所述光阻层毗邻所述洗边区域的一侧的所述光刻图形的存在会导致密封圈密封不严，电镀液极易经所述光刻图形渗透至所述洗边区域的所述金属材料层上，影响所述洗边区域的所述金属材料层的导电功能。
2、因此，如何减少电镀过程中电镀液的漏液问题，从而改善电镀工艺的效果，提高半导体产品的良率，是当前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、本技术提供一种用于改善电镀效果的结构，用于减少电镀过程中电镀液的漏液问题，从而改善电镀工艺的效果，提高半导体产品的良率。
2、根据一些实施例，本技术提供了一种用于改善电镀效果的结构，包括：
3、衬底；
4、导电层，位于所述衬底的顶面，所述导电层包括内部区域以及围绕所述
5、光阻层，位于所述导电层中的所述内部区域上，所述光阻层包括第一部分以及环绕所述第一部分的外周分布的第二部分，所述第二部分呈实心封闭环状结构。
6、在一些实施例中，还包括：
7、密封结构，至少位于所述光阻层中的所述第二部分的顶面上，所述密封结构中具有开口，所述开口暴露所述光阻层中的所述第一部分。
8、在一些实施例中，所述密封结构包括：
9、第一密封圈，位于所述光阻层中的所述第二部分的表面，所述第一密封圈在所述光阻层上的正投影连续环绕所述第一部分的外周分布。
10、在一些实施例中，所述密封结构还包括：
11、第二密封圈，位于所述导电层的所述边缘区域上。
12、在一些实施例中，所述第一密封圈背离所述衬底的表面和所述第二密封圈背离所述衬底的表面平齐；所述用于改善电镀效果的结构还包括：
13、遮挡层，覆盖所述第一密封圈背离所述衬底的表面和所述第二密封圈背离所述衬底的表面，在沿所述第二部分指向所述第一部分的方向上，所述第二部分突出于所述遮挡层。
14、在一些实施例中，还包括：
15、导电连接柱，位于所述导电层的所述边缘区域上，且所述导电连接柱位于所述第二密封圈背离所述第一密封圈的一侧。
16、在一些实施例中，所述第二部分的宽度小于所述边缘区域的宽度。
17、在一些实施例中，所述边缘区域的宽度为1mm～2mm。
18、在一些实施例中，所述第二部分的宽度为0.5mm～1.5mm。
19、在一些实施例中，所述光阻层的材料为正性光刻胶材料或者负性光刻胶材料。
20、本技术提供的用于改善电镀效果的结构，在导电层上设置包括第一部分和第二部分的光阻层，第二部分环绕所述第一部分的外周分布，通过将位于所述光阻层的边缘的所述第二部分设置为实心封闭环状结构，从而能够减少电镀工艺中的漏液问题，避免电镀工艺中的电镀液自所述光阻层的边缘渗透至所述导电层的边缘区域中，进而避免了对导电层的所述边缘区域的导电性能造成影响，实现了对电镀工艺效果的改善，提高了经所述电镀工艺形成的半导体产品的良率。
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1.一种用于改善电镀效果的结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的用于改善电镀效果的结构，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的用于改善电镀效果的结构，其特征在于，所述密封结构包括：
4.根据权利要求3所述的用于改善电镀效果的结构，其特征在于，所述密封结构还包括：
5.根据权利要求4所述的用于改善电镀效果的结构，其特征在于，所述第一密封圈背离所述衬底的表面和所述第二密封圈背离所述衬底的表面平齐；
6.根据权利要求4所述的用于改善电镀效果的结构，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求1所述的用于改善电镀效果的结构，其特征在于，所述第二
8.根据权利要求7所述的用于改善电镀效果的结构，其特征在于，所述边缘区域的宽度为1mm～2mm。
9.根据权利要求7所述的用于改善电镀效果的结构，其特征在于，所述第二部分的宽度为0.5mm～1.5mm。
10.根据权利要求1所述的用于改善电镀效果的结构，其特征在于，所述光阻层的材料为正性光刻胶材料或者负性光刻胶材料。
【技术特征摘要】
1.一种用于改善电镀效果的结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的用于改善电镀效果的结构，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的用于改善电镀效果的结构，其特征在于，所述密封结构包括：
4.根据权利要求3所述的用于改善电镀效果的结构，其特征在于，所述密封结构还包括：
5.根据权利要求4所述的用于改善电镀效果的结构，其特征在于，所述第一密封圈背离所述衬底的表面和所述第二密封圈背离所述衬底的表面平齐；
6.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：沈海，
申请(专利权)人：江阴长电先进封装有限公司，
类型：新型
国别省市：
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