【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电子，尤其涉及一种封装结构及其形成方法。
技术介绍
1、空腔类产品的封装过程中，通常采用焊锡和基板焊接来形成空腔，不仅对于锡柱的共面性要求较高，而且由于焊锡量较少，焊点较小易出现虚焊、连桥等焊接问题，从而导致无法形成密闭空腔，并进一步导致芯片性能失效，尤其是在晶圆级真空封装中，由于空腔体积的大大减小，使其对空腔漏率要求比传统的金属管壳封装或者陶瓷管壳封装更高。另外，对于采用回流焊进行封装的产品，一方面由于需要满足回流焊的间距要求，需要设计较大的芯片尺寸；另一方面由于高温回流焊接应力和芯片内部较深的沟槽的影响，芯片易出现断裂的问题。
2、因此，提供一种能够提高产品空腔的密封性及缩小产品尺寸的封装结构及其形成方法是亟需解决的技术问题。
技术实现思路
1、本申请所要解决的技术问题是提供一种封装结构及其形成方法，以提高产品空腔的密封性及缩小产品尺寸。
2、为了解决上述问题，本申请提供了一种封装结构，所述封装结构包括：功能晶圆，所述功能晶圆上表面具有钝化层；帽晶圆；...
【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述键合结构在所述钝化层上的正投影为环形。
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述键合结构内部具有支撑柱，所述支撑柱的高度小于或等于所述键合结构的高度。
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述帽晶圆的下表面具有第一开口，所述第一开口连通至所述密封腔室。
5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述钝化层具有环形的第二开口，所述第二开口的侧壁之间的最大距离小于键合结构的内壁之间的距离。
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【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述键合结构在所述钝化层上的正投影为环形。
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述键合结构内部具有支撑柱，所述支撑柱的高度小于或等于所述键合结构的高度。
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述帽晶圆的下表面具有第一开口，所述第一开口连通至所述密封腔室。
5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述钝化层具有环形的第二开口，所述第二开口的侧壁之间的最大距离小于键合结构的内壁之间的距离。
6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述功能晶圆还具有沟槽，所述沟槽与所述第二开口连通，所述帽晶圆的下表面、所述键合结构的内壁、所述钝化层的上表面、所述第二开口的内壁以及所述沟槽的内壁构成所述密封腔室。
7.一种封装结构的形成方法，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述提供一帽晶圆的步骤进一步包括：
9.根据权利要求8所述的封装结构的形成方法，其特征在于，在所述形成一氧化物层于所述晶圆的下表面的步骤之后，所述方法还包括：对所述氧化物层进行溅射，以形成接触所述氧化物层的支撑柱；所述形成至少一键合结构于所述帽晶圆的下表面的步骤进一步包括：形成包覆所述支撑柱的键合结构。
10.根据权利要求7...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄洋，陈兰，
申请(专利权)人：江阴长电先进封装有限公司，
类型：发明
国别省市：
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