【技术实现步骤摘要】
本申请属于微电子封装，尤其涉及一种一体集成微同轴气密封装结构及其制造方法。
技术介绍
1、现代通信和雷达系统技术的快速发展，对高频、小型化、低成本、高可靠的微波模块电路需求日趋迫切。
2、为适应小型化和多功能化发展，电子器件都在向三维结构发展。对于三维器件结构的实现，芯片封装的技术手段很多且技术较为成熟，如芯片堆叠配合键合，芯片倒装，芯片键合等。对于芯片封装领域，在毫米波及太赫兹频段，对于信号的传输损耗、隔离度以及集成度方面都有较高要求。空气矩形微同轴结构在以上方面都具有独特的优势。
3、但一般微同轴器件不自带封装，需要将其作为独立器件采用混合集成方式装入封装盒体中实现。而且常规微波模组通常集成单个或多个微波单片集成电路mmic，其适用环境需要气密封装。因此如何实现3d微同轴的气密封装结构及其制造方法十分必要。
4、常见的微波模组是将多芯片模组采用微组装工艺装入盒体中，采用平行封焊等工艺将其密封。但采用上述方式封装，存在装配精度较低，导致i/o互连引脚的节距大及数量少，同时需要在微同轴器件或基板界面设计阻焊结构等诸多问题。
技术实现思路
1、为克服相关技术中存在的问题，本申请实施例提供了一种一体集成微同轴气密封装结构及其制造方法，能够在实现气密封装微同轴器件的同时，解决装配精度较低，i/o互连引脚的节距大及数量少，需要在微同轴器件或基板界面设计阻焊结构的问题。
2、本申请是通过如下技术方案实现的：
3、第一方面，本申请实施
4、微同轴结构、第一隔离墙和第二隔离墙从基板生长而成；第一隔离墙生长在基板的上表面的外侧，微同轴结构和第二隔离墙生长在基板的上表面的内侧；
5、芯片和无源器件均设置在基板的上表面上；第二隔离墙设置在开放式的无源器件和芯片的周围，用于隔离电磁干扰；
6、盖板与基板、第一隔离墙形成密封空间，将微同轴结构、芯片、无源器件和第二隔离墙密封在密封空间。
7、在一种可能的实现方式中，第二隔离墙的高度低于第一隔离墙的高度；第二隔离墙的高度大于或等于芯片和无源器件的高度。
8、在一种可能的实现方式中，还包括第三隔离墙；
9、多个第三隔离墙将密封空间分成多个腔体；每个腔体中放置一组由微同轴结构、芯片、无源器件和第二隔离墙组成的电学模块。
10、在一种可能的实现方式中，每组电学模块均设置在同一个基板上。
11、在一种可能的实现方式中，基板的上表面沉积有一层种子层；微同轴结构、第一隔离墙和第二隔离墙从种子层上生长而成。
12、在一种可能的实现方式中，种子层的厚度范围为50nm-300nm。
13、在一种可能的实现方式中，基板的类型包括pcb基板、高温共烧陶瓷基板、低温共烧陶瓷基板、薄膜陶瓷基板、厚膜陶瓷基板、si通孔基板或陶瓷通孔基板。
14、在一种可能的实现方式中，微同轴结构包括内导体、外导体和支撑层；支撑层用于支撑内导体；外导体从基板上生长而成，用于将内导体包围。
15、在一种可能的实现方式中，芯片和无源器件采用焊接或胶粘或烧结的方式与基板的底层电路互连。
16、第二方面，本申请实施例提供了一种制造方法，用于制造如第一方面的一体集成微同轴气密封装结构，制造方法包括：
17、在基板上表面上生长微同轴结构、第一隔离墙和第二隔离墙；第一隔离墙生长在基板的上表面的外侧，微同轴结构和第二隔离墙生长在基板的上表面的内侧；
18、将芯片和无源器件安装到第一隔离墙围起来的腔体内部；
19、将芯片和无源器件分别与基板的底层电路互连；
20、将盖板与第一隔离墙进行气密封接；盖板与基板、第一隔离墙形成密封空间。
21、可以理解的是，上述第二方面的有益效果可以参见上述第一方面中的相关描述，在此不再赘述。
22、本申请实施例与现有技术相比存在的有益效果是：
23、本申请实施例，通过将微同轴结构、第一隔离墙和第二隔离墙从基板生长而成，相比混合集成中贴装，定位精度更高。采用从基板生长而成这种一体集成的方式，微同轴结构与下层基板进行i/o互连时，在基板/微同轴界面两侧无需制作阻焊结构，同时i/o互连接口的节距更小，可实现低至10微米的节距，达到更高的互连密度。一体集成微同轴器件的同时，第二隔离墙作为内部隔离结构，第一隔离墙作为外部隔离结构，在实现气密封装的同时，有效地减少外界电磁场对电路的影响，同时也可以防止电路产生的电磁场对外界产生干扰，实现了高频信号之间、模拟信号与数字信号之间高抑制隔离。
24、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本说明书。
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1.一种一体集成微同轴气密封装结构，其特征在于，包括：基板、微同轴结构、芯片、无源器件、第一隔离墙、第二隔离墙和盖板；
2.如权利要求1所述的一体集成微同轴气密封装结构，其特征在于，所述第二隔离墙的高度低于所述第一隔离墙的高度；所述第二隔离墙的高度大于或等于所述芯片和所述无源器件的高度。
3.如权利要求1所述的一体集成微同轴气密封装结构，其特征在于，还包括第三隔离墙；
4.如权利要求3所述的一体集成微同轴气密封装结构，其特征在于，每组所述电学模块均设置在同一个基板上。
5.如权利要求1所述的一体集成微同轴气密封装结构，其特征在于，所述基板的上表面沉积有一层种子层；所述微同轴结构、所述第一隔离墙和所述第二隔离墙从所述种子层上生长而成。
6.如权利要求5所述的一体集成微同轴气密封装结构，其特征在于，所述种子层的厚度范围为50nm-300nm。
7.如权利要求1所述的一体集成微同轴气密封装结构，其特征在于，所述基板的类型包括PCB基板、高温共烧陶瓷基板、低温共烧陶瓷基板、薄膜陶瓷基板、厚膜陶瓷基板、Si通孔基板或陶
8.如权利要求1至7任一项所述的一体集成微同轴气密封装结构，其特征在于，所述微同轴结构包括内导体、外导体和支撑层；所述支撑层用于支撑所述内导体；所述外导体从所述基板上生长而成，用于将所述内导体包围。
9.如权利要求1至7任一项所述的一体集成微同轴气密封装结构，其特征在于，所述芯片和所述无源器件采用焊接或胶粘或烧结的方式与所述基板的底层电路互连。
10.一种制造方法，其特征在于，用于制造如权利要求1至9任一项所述的一体集成微同轴气密封装结构，所述制造方法包括：
...【技术特征摘要】
1.一种一体集成微同轴气密封装结构，其特征在于，包括：基板、微同轴结构、芯片、无源器件、第一隔离墙、第二隔离墙和盖板；
2.如权利要求1所述的一体集成微同轴气密封装结构，其特征在于，所述第二隔离墙的高度低于所述第一隔离墙的高度；所述第二隔离墙的高度大于或等于所述芯片和所述无源器件的高度。
3.如权利要求1所述的一体集成微同轴气密封装结构，其特征在于，还包括第三隔离墙；
4.如权利要求3所述的一体集成微同轴气密封装结构，其特征在于，每组所述电学模块均设置在同一个基板上。
5.如权利要求1所述的一体集成微同轴气密封装结构，其特征在于，所述基板的上表面沉积有一层种子层；所述微同轴结构、所述第一隔离墙和所述第二隔离墙从所述种子层上生长而成。
6.如权利要求5所述的一体集成微同轴气密封装结构，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：史光华，徐达，王磊，袁彪，魏少伟，李仕俊，杨彦锋，宋学峰，王建，王真，马成龙，吴浩宇，左国森，孔令甲，张路洋，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：
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