一体集成微同轴气密封装结构及其制造方法技术

技术编号:41327000 阅读:21 留言:0更新日期:2024-05-13 15:04
本申请适用于微电子封装技术领域,提供了一种一体集成微同轴气密封装结构及其制造方法,该封装结构包括:基板、微同轴结构、芯片、无源器件、第一隔离墙、第二隔离墙和盖板。微同轴结构、第一隔离墙和第二隔离墙从基板生长而成;第一隔离墙生长在基板的上表面的外侧,微同轴结构和第二隔离墙生长在基板的上表面的内侧;芯片和无源器件均设置在基板的上表面上;第二隔离墙设置在开放式的无源器件和芯片的周围,隔离电磁干扰;盖板与基板、第一隔离墙形成密封空间,将微同轴结构、芯片、无源器件和第二隔离墙密封在密封空间。本申请的方法能够在实现气密封装微同轴器件的同时,解决装配精度较低,I/O互连引脚的节距大及数量少,需要在微同轴器件或基板界面设计阻焊结构的问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于微电子封装,尤其涉及一种一体集成微同轴气密封装结构及其制造方法


技术介绍

1、现代通信和雷达系统技术的快速发展,对高频、小型化、低成本、高可靠的微波模块电路需求日趋迫切。

2、为适应小型化和多功能化发展,电子器件都在向三维结构发展。对于三维器件结构的实现,芯片封装的技术手段很多且技术较为成熟,如芯片堆叠配合键合,芯片倒装,芯片键合等。对于芯片封装领域,在毫米波及太赫兹频段,对于信号的传输损耗、隔离度以及集成度方面都有较高要求。空气矩形微同轴结构在以上方面都具有独特的优势。

3、但一般微同轴器件不自带封装,需要将其作为独立器件采用混合集成方式装入封装盒体中实现。而且常规微波模组通常集成单个或多个微波单片集成电路mmic,其适用环境需要气密封装。因此如何实现3d微同轴的气密封装结构及其制造方法十分必要。

4、常见的微波模组是将多芯片模组采用微组装工艺装入盒体中,采用平行封焊等工艺将其密封。但采用上述方式封装,存在装配精度较低,导致i/o互连引脚的节距大及数量少,同时需要在微同轴器件或基板界面设计阻焊结构等诸多问题本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种一体集成微同轴气密封装结构,其特征在于,包括:基板、微同轴结构、芯片、无源器件、第一隔离墙、第二隔离墙和盖板;

2.如权利要求1所述的一体集成微同轴气密封装结构,其特征在于,所述第二隔离墙的高度低于所述第一隔离墙的高度;所述第二隔离墙的高度大于或等于所述芯片和所述无源器件的高度。

3.如权利要求1所述的一体集成微同轴气密封装结构,其特征在于,还包括第三隔离墙;

4.如权利要求3所述的一体集成微同轴气密封装结构,其特征在于,每组所述电学模块均设置在同一个基板上。

5.如权利要求1所述的一体集成微同轴气密封装结构,其特征在于,所述基板的...

【技术特征摘要】

1.一种一体集成微同轴气密封装结构,其特征在于,包括:基板、微同轴结构、芯片、无源器件、第一隔离墙、第二隔离墙和盖板;

2.如权利要求1所述的一体集成微同轴气密封装结构,其特征在于,所述第二隔离墙的高度低于所述第一隔离墙的高度;所述第二隔离墙的高度大于或等于所述芯片和所述无源器件的高度。

3.如权利要求1所述的一体集成微同轴气密封装结构,其特征在于,还包括第三隔离墙;

4.如权利要求3所述的一体集成微同轴气密封装结构,其特征在于,每组所述电学模块均设置在同一个基板上。

5.如权利要求1所述的一体集成微同轴气密封装结构,其特征在于,所述基板的上表面沉积有一层种子层;所述微同轴结构、所述第一隔离墙和所述第二隔离墙从所述种子层上生长而成。

6.如权利要求5所述的一体集成微同轴气密封装结构,其...

【专利技术属性】
技术研发人员:史光华徐达王磊袁彪魏少伟李仕俊杨彦锋宋学峰王建王真马成龙吴浩宇左国森孔令甲张路洋
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第十三研究所
类型:发明
国别省市:

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