【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有CMOS器件，在所述半导体衬底的上表面形成有氟硅玻璃层；在所述氟硅玻璃层上形成富硅材料层；以及在所述富硅材料层上形成MEMS器件。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘煊杰，吴秉寰，谢红梅，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。