超薄真空密封MEMS晶圆的加工方法技术

本发明专利技术公开了一种超薄真空密封MEMS晶圆的加工方法，其包括对衬底层晶圆进行刻蚀生成下腔体；将结构层与衬底进行阳极键合；将结构层减薄至设计的厚度；在结构层晶圆表面制备金属图形，该金属图形至少包括一PAD区域；在结构层刻蚀出运动结构；在一密封帽层晶圆上腐蚀出上腔体，其中，该上腔体包括对应运动结构的第一部分和对应PAD区域的第二部分；在第二部分上定义一切割道，并在该切割道继续刻蚀出陡直侧壁的腔体；在密封帽层晶圆上制备键合层粘结剂；将结构层晶圆与密封帽层晶圆进行键合；以及将键合好的晶圆进行双面研磨减薄，其中至少将密封帽层晶圆减薄至PAD区域暴露出。相比目前的解决方案，该方案既可减少工艺步骤以缩短工艺加工时间，又能降低成本。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
超薄真空密封MEMS晶圆的加工方法，包括：对衬底层晶圆进行刻蚀生成下腔体；将结构层与衬底进行阳极键合；将结构层减薄至设计的厚度；在结构层晶圆表面制备金属图形，该金属图形至少包括一PAD区域；在结构层刻蚀出运动结构；在一密封帽层晶圆上腐蚀出上腔体，其中，该上腔体包括对应运动结构的第一部分和对应PAD区域的第二部分；在第二部分上定义一切割道，并在该切割道继续刻蚀出陡直侧壁的腔体；在密封帽层晶圆上制备键合层粘结剂；将结构层晶圆与密封帽层晶圆进行键合；将键合好的晶圆进行双面研磨减薄，其中至少将密封帽层晶圆减薄至PAD区域暴露出。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李莉，
申请(专利权)人：深迪半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：