一种晶圆基片加工方法技术

技术编号:8557390 阅读:200 留言:0更新日期:2013-04-10 19:08
本发明专利技术涉及一种晶圆基片加工方法,该方法包括以下步骤:1)在毛坯片上开设定位槽;2)采用超薄石英玻璃加工工艺对毛坯片进行研磨加工;3)对研磨后的毛坯片进行抛光处理。与现有技术相比,本发明专利技术具有生产成本低,产品良率高等优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种机械加工领域,尤其是涉及。
技术介绍
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,是半导体行业的基础,在晶圆片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅,而地壳表面有用之不竭的二氧化硅,但是晶圆的技术过去主要掌握在欧美以及日本等国手中,尤其是在基片加工中难度较大,国内基片的厂家屈指可数,尤为大尺寸8,以上的更是凤毛麟角。
技术实现思路
本专利技术的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种生产成本低,产品良率闻的晶圆基片加工方法。本专利技术的目的可以通过以下技术方案来实现,其特征在于,该方法包括以下步骤1)在毛坯片上开设定位槽;2)采用超薄石英玻璃加工工艺对毛坯片进行研磨加工;3)对研磨后的毛坯片进行抛光处理。所述的超薄石英玻璃加工工艺为具体包括以下步骤A)毛坯片通过定位槽固定在研磨装置上;B)在待加工的毛坯片周围设置多个保护片;C)研磨装置从上方对毛坯片进行研磨。 3所述的保护片设有3个,均匀设置在毛坯片周围,保护片的高度高于毛坯片O. 15 O. 3mm。研磨装置从上方对毛坯片进行研磨时,进刀量为O. 01mm。与现有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆基片加工方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:1)在毛坯片上开设定位槽;2)采用超薄石英玻璃加工工艺对毛坯片进行研磨加工;3)对研磨后的毛坯片进行抛光处理。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆基片加工方法,其特征在于,该方法包括以下步骤1)在毛坯片上开设定位槽;2)采用超薄石英玻璃加工工艺对毛坯片进行研磨加工;3)对研磨后的毛坯片进行抛光处理。2.根据权利要求1所述的一种晶圆基片加工方法,其特征在于,所述的超薄石英玻璃加工工艺为具体包括以下步骤A)毛坯片通过定位槽固定在研磨装置上;B)在待加工的毛坯片周围设置多个保护片;C)研磨装...

【专利技术属性】
技术研发人员:姚建明
申请(专利权)人:上海双明光学科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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